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阎江

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇硅化物
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子谱
  • 1篇子结构
  • 1篇金属
  • 1篇金属硅化物
  • 1篇化物
  • 1篇工艺特性
  • 1篇光电子谱
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体界面
  • 1篇钽
  • 1篇MOSI

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 2篇阎江
  • 1篇吴建新
  • 1篇季明荣
  • 1篇许振嘉
  • 1篇李宝骐

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1989
  • 1篇1986
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究
1989年
利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.
李宝骐季明荣吴建新许振嘉阎江
关键词：金属半导体界面光电子谱硅化物
钽金属硅化物工艺特性的研究
阎江
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共1页<1>
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