季明荣
- 作品数：34 被引量：55H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 氯在GaAs(110)表面的吸附
- 1989年
- 测量了吸附不同量的氯后GaAs(110)表面UPS谱及功函数的变化。结果表明随氯吸附量的增加,其功函数变大。提出功函数的改变主要由电离能的变化而引起。
- 徐彭寿赵特秀季明荣吴建新刘先明
- 关键词：氯
- Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究
- 1989年
- 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。
- 赵特秀沈波刘洪图季明荣吴建新许振嘉
- 关键词：半导体非晶硅硅化物
- 低温等离子体对多孔聚丙烯膜表面改性的研究被引量：6
- 1997年
- 红外光声光谱（ＩＲ）分析和光电子能谱（ＥＳＣＡ）分析表明，双向拉伸多孔聚丙烯膜（ＰＰ）经等离子体表面改性后，表面产生了多种极性基团，从而增加了表面的亲水性．改性后的ＰＰ膜与胶原复合形成的复合材料表面还出现了离子型的氨基和羧基等，涂覆深度约５ｎｍ以上。
- 钱露茜胡建芳刘裕明杨金玲胡克良季明荣张其清任磊
- 关键词：等离子体多孔聚丙烯膜表面改性
- 表面分析:X射线光电子能谱学和俄歇电子能谱学
- 1989年
- 美国《分析化学》(Anal .Chem)杂志每两年分专题发表一次基础述评(Fund.Rev.)比较全面地总结了两年来在本专题范围内所获得的最新成就,信息量极为丰富,这对分析测试工作者了解世界发展动态很有参考价值——可以说,读了它基本上可起到'秀才不出门,全知天下事'的作用。为此,我们从第5卷第2辑起选登有关光谱(能谱)分析几个专题的译文(取名为'动态述评'),同时附上参考文献,以便对某些问题想作详细了解的读者查找。所选专题是:拉曼光谱学,分子荧光、磷光和化学发光光谱法,X射线光谱法,表面分析:X射线光电子能谱学和俄歇电子能谱学,紫外光及可见光吸收光谱法,发射光谱法,原子吸收、原子荧光和火焰发射光谱法,穆斯堡尔能谱学,核磁共振波谱学等。
- N.H.特纳季明荣温庆生周开亿
- 关键词：X射线
- 聚酰亚胺LB膜热解制备SiC薄膜的XPS研究
- 2002年
- 用XPS对沉积在硅基片上的聚酰亚胺LB膜以及由它真空热解制备的SiC薄膜进行了研究 ,并对其形成过程进行了跟踪分析 .XPS结果显示聚酰亚胺LB膜结构均匀 ,质量良好 ;真空热解时 ,约在 6 70℃时LB膜中的C与衬底Si反应形成SiC ;Ar离子溅射深度俄歇谱表明所制备的SiC膜中Si和C浓度成梯度分布 。
- 金邦坤季明荣杨碚芳何平笙
- 关键词：聚酰亚胺LB膜热解半导体薄膜
- YBa_2Cu_3O_7超导体中空穴状态的X射线光电子能谱研究被引量：3
- 1991年
- 对正交单相YBa_2Cu_3O_7样品进行了X射线光电子能谱(XPS)测量。明显观察到Cu的类高价状态。讨论了Cu_(2p)和O_(15)的XPS中各峰对应的电子状态,认为由于过量的O而引入的额外空穴产生在O_(2p)轨道上。Cu的类高价状态包含Cu3d^9L和Cu3d^(10)L^2两种状态的组合。
- 王楠林谭明秋赵展春王劲松沙健刘先明季明荣张其瑞
- 关键词：YBACUOX射线光电子能谱
- 氯在Ni（110）面上吸阻的电子能谱研究
- 1995年
- 用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＡＥＳ和功函数测量等方面研究了不同温度下氯的吸附和脱附．氯在Ｎｉ（１１０）表面是解离的化学吸附．其初始粘附几率及饱和复盖度都与吸附温度有关．氯吸附的Ｎｉ（ｌ１０）表面即使加热到７００Ｋ都不能导致氯原子向体相渗进．氯在８２３－９２３Ｋ温度范围内的等温脱附动力学是１．５级的脱附．对吸附和脱附机理进行了讨论．
- 庄叔贤季明荣吴建新屠兢麻茂生K.Wandelt
- 关键词：氯XPSUPSAES
- 电子能谱仪中金属硅化物的原位制备装置
- 1989年
- 本文介绍了在电子能谱仪中为原位制备金属硅化物样品而设计和安装的高温电子束加热装置和石英振子膜厚测量装置，着重介绍了它们的基本原理、结构和使用性能，并以Ｐｄ／ｓｉ 系统为例作了简要说明．
- 季明荣吴建新
- 关键词：电子能谱仪金属硅化物
- 光电子能谱研究O_2和Rb在InSb（111）表面上共吸附被引量：1
- 1995年
- 本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温ＴＯ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２）和超氧化铷（ＲｂＯ２）。通过芯能级和价电子的变化，揭示了各种氧离子态（Ｏ２－，Ｏ，Ｏ）的形成。
- 吴建新麻茂生刘先明朱警生季明荣
- 关键词：光电子能谱铷半导体表面
- 氯对Ni（110）面上CO共吸附的影响
- 1995年
- 用ＵＰＳ、ＸＰＳ、ＡＥＳ和功函数测定等方法考察了氯对Ｎｉ（１１０）上ＣＯ共吸附的影响。预吸附的氯强烈降低了ＣＯ的吸附速度和饱和吸附量，减少了ＣＯ—Ｎｉ的平均偶极矩。ＵＰＳ和ＸＰＳ结果表明，氯的共吸附使ＣＯ的１π和Ｏ（１ｓ）移向较高的结合能，而５σ则轻微移向较低的结合能。氯能取代表面吸附的ＣＯ并伴随总功函数的下降。氯的强电负性和空间位阻减小了Ｎｉ—ＣＯ的健合作用，从而降低了ＣＯ的吸附键能，并使Ｃ—Ｏ分子键稳定化。对氯的表面电负性修饰效应进行了讨论。
- 庄叔贤吴建新刘先明屠兢季明荣汪兰清
- 关键词：一氧化碳氯XPSAESUPS
