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雷磊

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇气相淀积
  • 2篇热效应
  • 2篇介质
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇键合
  • 2篇键合工艺
  • 2篇SOI
  • 1篇断点
  • 1篇断点续传
  • 1篇行扫描
  • 1篇上传
  • 1篇上传文件
  • 1篇声纹
  • 1篇声纹识别
  • 1篇数据块
  • 1篇碎片化
  • 1篇特征提取
  • 1篇驱动IC
  • 1篇下载

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇雷磊
  • 2篇蒋辉
  • 2篇雷天飞
  • 2篇傅达平
  • 2篇罗小蓉
  • 2篇王元刚
  • 2篇高唤梅
  • 1篇杨瑞瑞
  • 1篇王伟东
  • 1篇王宇
  • 1篇佘堃
  • 1篇吕赫

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于小波分析的声纹识别关键技术研究
声纹是指带有语音信息的声波频谱，是一种生物特征，具有唯一性和稳定性的特点。利用声纹识别说话人身份的技术被称为声纹识别技术。该技术是目前流行的身份认证技术之一，已经广泛地用于访问控制、刑侦、司法和信息服务等领域。目前，大多...
雷磊
关键词：声纹识别小波分析特征提取
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一种通过碎片化多云存储的电子邮件通信方法
本发明公开了一种通过碎片化多云存储的电子邮件通信方法。本发明在发送带附件的邮件时，当附件大小超过预设阈值时，则直接上传附件文件本身，而是上传其对应的元数据，即对于认证用户向代理云发送的上传请求，代理云返回n个云端，发送方...
佘堃杨瑞瑞吕赫雷磊王伟东王宇廖贞林
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双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
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双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
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用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压器件
PDP（Plasma Display Panel：等离子体显示平板）作为新一代显示技术，以其响应速度快，宽屏显示及图像分辨率高等优点，成为显示技术领域发展的重要方向。PDP行扫描驱动芯片是PDP整机系统成本的重要组成部分...
雷磊
关键词：SOI高压器件
文献传递
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