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孟祥丹

作品数:6 被引量:18H指数:3
供职机构:重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇P型
  • 2篇第一性原理
  • 2篇稳定性
  • 2篇离子
  • 2篇离子液
  • 2篇离子液体
  • 2篇共掺
  • 2篇光学
  • 2篇P型ZNO
  • 2篇P型ZNO薄...
  • 2篇N-
  • 1篇电性质
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇有机光致变色
  • 1篇离子注入
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉脱法
  • 1篇功能材料

机构

  • 6篇重庆师范大学
  • 4篇重庆大学
  • 2篇重庆文理学院
  • 2篇中国科学院重...

作者

  • 6篇孟祥丹
  • 4篇赵永红
  • 4篇孔春阳
  • 4篇李万俊
  • 4篇秦国平
  • 4篇阮海波
  • 2篇谷明信
  • 2篇梁薇薇
  • 2篇卞萍
  • 2篇何国田
  • 2篇杨天勇
  • 1篇徐泽宇
  • 1篇方亮
  • 1篇秦涵书
  • 1篇朱晓强
  • 1篇徐庆
  • 1篇李先忠
  • 1篇何骥鸣
  • 1篇张萍

传媒

  • 2篇重庆师范大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Cd掺杂对ZnO∶In薄膜光电性质的影响
2013年
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80%以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253~3.148eV范围内减小。霍尔测试表明,Cd掺杂增强了薄膜的导电性,当Cd掺杂浓度为0at.%、2at.%和4at.%时,薄膜的电阻率分别为(2.68×10-1)、(1.30×10-1)和(6.83×10-2)Ω.cm。结合理论计算和光致发光谱分析认为,Cd掺入后ZnO的导带明显下移,这不仅导致ZnO∶(In,Cd)薄膜的带隙变窄,同时使施主杂质(Zni和InZn等)的电离能减小,从而增强了薄膜的导电性能。
孟祥丹孔春阳李万俊秦国平阮海波赵永红卞萍
关键词:光学性质电学性质
离子液体作为软光学功能材料的研究进展被引量:2
2014年
离子液体由于具有蒸气压低、液程宽、热稳定性和化学稳定性好、透光率和导电率高等诸多特性,作为一种潜在的、绿色的软光学功能材料和介质,逐渐引起了科学家们的关注。综述了离子液体作为光学显示材料、光学传输材料、光学储能材料、光电材料、太阳能电池材料等方面应用的研究进展,分析和探讨了离子液体在光学领域应用存在的问题,并展望了其应用研究前景。
何国田谷明信林远长徐泽宇何骥鸣孟祥丹李先忠朱晓强朱晓强
关键词:离子液体功能材料有机光致变色
系列离子液体的表面张力研究被引量:2
2014年
在27℃下,利用圆环拉脱法测定了系列1-烷基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体[Cnmim]BF4(n=6,8,10,12)、六氟磷酸盐离子液体[Cnmim]PF6(n=8,10,12)、碘盐离子液体[Cnmim]I(n=7,8,10)、氯盐离子液体[Cnmim]Cl(n=10,12,14)、烷基吡啶四氟硼酸盐离子液体[CnPy]BF4(n=9,11,13)的表面张力,测试结果表明,一定温度下离子液体的表面张力γ随着阳离子链长的增长而减小,随着阴离子尺寸的增大而增大。提出预测离子液体表面张力的经验方程,分析了温度对离子液体表面张力的影响,并进行了拟合分析。
谷明信秦涵书孟祥丹何国田
关键词:离子液体拉脱法
p型ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性研究被引量:7
2012年
采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性.结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5,505.1和643.6cm-1),分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO:N薄膜向p型转变,其空穴浓度为7.73×1017cm-3,迁移率为3.46cm2V-1s-1,电阻率为2.34Ωcm.然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷(N2)O是p型不稳定的根本原因.
李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇孟祥丹赵永红梁薇薇方亮
关键词:拉曼光谱稳定性第一性原理
N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究被引量:5
2013年
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01×1018)cm-3、3.40cm2.V-1.s-1、1.81Ω.cm。结合XPS分析认为ZnO∶In-N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主InZn-2NO复合体。Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为n型导电,结合XPS和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N2)O施主缺陷是p型不稳定的原因。
赵永红孔春阳秦国平李万俊阮海波孟祥丹卞萍徐庆张萍
关键词:离子注入P型掺杂第一性原理
N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展被引量:3
2011年
获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。
李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇梁薇薇孟祥丹赵永红
关键词:P型ZNO薄膜稳定性
共1页<1>
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