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胡征

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇激光
  • 4篇飞秒
  • 3篇吸收率
  • 3篇硅膜
  • 3篇飞秒激光
  • 3篇掺杂
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇热蒸发
  • 2篇脉冲
  • 2篇膜层
  • 2篇激光脉冲
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅
  • 2篇衬底
  • 1篇晶体
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光刻蚀
  • 1篇激光制备
  • 1篇光刻

机构

  • 6篇电子科技大学
  • 1篇四川理工学院

作者

  • 6篇胡征
  • 5篇杜玲艳
  • 5篇吴志明
  • 4篇李睿
  • 4篇李世彬
  • 4篇唐菲
  • 4篇李伟
  • 4篇吴雪飞
  • 4篇姬春晖
  • 1篇蒋亚东

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
飞秒激光制备掺杂黑硅及其应用进展被引量：4
2015年
综述了飞秒激光制备掺杂黑硅及其在光电子领域应用中的研究进展。介绍了硅表面微纳结构及黑硅中杂质能带的形成机制,分析了飞秒激光制备黑硅过程中的影响因素,重点阐述了在含硫系元素(硫、硒、碲)的气体、液体、固体膜层环境下,或是采用高能离子注入后,如何利用飞秒激光脉冲实现硫系元素在硅中的超饱和掺杂。评论了飞秒激光制备掺杂黑硅技术中存在的问题并展望黑硅的应用前景。
杜玲艳吴志明胡征蒋亚东
关键词：飞秒激光掺杂
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
飞秒激光刻蚀制备黑硅及其特性研究
由于黑硅具有特殊的表面形貌结构及良好的宽光谱吸收特性，近几年来受到国内外学者广泛关注。目前这一新型材料在太阳能电池、光电探测等领域中的应用研究已逐渐深入。我们搭建了一套飞秒激光刻蚀黑硅实验光路系统，利用该系统制备硫和硒掺...
胡征
关键词：半导体材料激光刻蚀
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
文献传递
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
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