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吴雪飞

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇太赫兹
  • 7篇太赫兹波
  • 5篇赫兹
  • 5篇红外
  • 5篇波段
  • 3篇太赫兹波段
  • 3篇探测器
  • 3篇网格
  • 3篇网格结构
  • 3篇吸收率
  • 3篇硅膜
  • 3篇红外波段
  • 3篇红外辐射
  • 3篇掺杂
  • 3篇超材料
  • 2篇对称图
  • 2篇室温工作
  • 2篇退火
  • 2篇频段
  • 2篇热退火

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇吴雪飞
  • 9篇王军
  • 9篇吴志明
  • 8篇蒋亚东
  • 6篇姬春晖
  • 4篇杜玲艳
  • 4篇苟君
  • 4篇李睿
  • 4篇李世彬
  • 4篇唐菲
  • 4篇李伟
  • 4篇黄泽华
  • 4篇张也驰
  • 4篇胡征
  • 2篇周泓希
  • 2篇黎威志
  • 2篇熊成
  • 1篇唐荣

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极...
王军周泓希黄泽华孙斌玮吴雪飞姬春晖蒋亚东
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一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
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一种太赫兹波探测器及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹波探测器及其制备方法，用于太赫兹波段辐射探测，该太赫兹波探测器包括：顶层复合敏感薄膜层，以及位于顶层复合敏感薄膜层下的超材料金属空心十字吸收层，空心十字图形为中心对称图形，超材料金属空心十字吸收层在...
吴志明张也驰熊成蒋亚东吴雪飞王军
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集成红外屏蔽结构的太赫兹波室温探测单元及制备方法
本发明公开了一种集成红外屏蔽结构的太赫兹波室温探测单元及其制备方法，用于太赫兹波段的高性能探测。所述探测器的顶层是金属网格结构图形，作为过滤和屏蔽红外波段的结构；第二层为复合薄膜微桥桥面，其桥面顶部为亚波长结构金属图形，...
王军吴雪飞张也驰苟君吴志明蒋亚东
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一种溶液静置法制备定向排布单臂碳纳米管的方法
本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极...
王军周泓希黄泽华孙斌玮吴雪飞姬春晖蒋亚东
一种集成抗红外辐射结构的太赫兹光学窗口及制备方法
本发明公开了一种具有抗红外辐射结构的太赫兹光学窗口，属于太赫兹探测技术领域，用于降低背景红外辐射对太赫兹探测的影响。所述抗红外辐射层结构位于太赫兹光学窗口表面，为金属网格结构。利用这种结构可以过滤99％以上的中远红外波段...
王军黄泽华吴雪飞苟君黎威志蒋亚东
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一种太赫兹波探测器及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹波探测器及其制备方法，用于太赫兹波段辐射探测，该太赫兹波探测器包括：顶层复合敏感薄膜层，以及位于顶层复合敏感薄膜层下的超材料金属空心十字吸收层，空心十字图形为中心对称图形，超材料金属空心十字吸收层在...
吴志明张也驰熊成蒋亚东吴雪飞王军
太赫兹波段氧化钒薄膜与超材料结构研究
作为红外光与微波交界范围,太赫兹波（THz）是电磁波谱中研究最少的波段。天然响应材料的稀少与功能器件的缺乏,皆让太赫兹波在近年来成为新兴研究热点。氧化钒家族中的二氧化钒（VO2）薄膜,其室温附近的半导体-金属相变特性,以...
吴雪飞
关键词：二氧化钒薄膜太赫兹掺杂超材料
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