张浩然
- 作品数：12 被引量：0H指数：0
- 供职机构：国家纳米科学中心更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 一种基于大面积超分辨激光直写系统的图形刻写方法
- 本发明提供一种基于大面积超分辨激光直写系统的图形刻写方法，通过将源图形文件进行一定角度顺时针或逆时针旋转，并沿周期性边界裁剪校正，进而输出多个已分割并编号的单帧刻写图形，用以整合扫描方向和步进方向刻写效果的差异，使得最终...
- 王闯张浩然刘前
- 用于大面积激光直写系统的多次迭代调平方法
- 本发明提供一种用于大面积激光直写系统的多次迭代调平方法，包括步骤：S1：获取待激光直写区域的三维数据，根据获取的三维数据进行平面拟合；S2：将S1拟合的平面与理想平面比较，通过容错拟合算法进行计算，指导执行器调平；S3：...
- 王闯张浩然刘前
- 文献传递
- 一种孤立三维表面褶皱微结构的复合膜及其制备方法
- 本发明提供一种表面具有孤立三维褶皱结构的复合膜及其制备方法。所述复合膜包括依次叠加设置的基片、聚合物基底和金属薄膜；所述金属薄膜远离聚合物基底的一面具有孤立三维褶皱结构。所述制备方法包括如下步骤：(1)将聚合物溶液涂覆于...
- 李博张浩然刘前
- 一种具有有序褶皱应变结构的二维材料及其制备方法和用途
- 本发明提供了一种具有有序褶皱应变结构的二维材料及其制备方法和用途。所述制备方法包括如下步骤：在热塑性高分子薄膜上镀金属层，形成金属/热塑性高分子双层薄膜；通过激光直写，在所述金属/热塑性高分子双层薄膜上刻写出预设图案，得...
- 王聪刘前杜乐娜张浩然张心正
- 文献传递
- 新型激光直写的方法与技术
- 2021年
- 激光直写是一类重要的微纳米加工技术,广泛用于高精度掩模板、MEMS、微纳米结构的制造等领域。依据阿贝成像原理,提高激光系统加工分辨率有缩短波长和增大物镜数值孔径两条技术道路,现均已发展到极致,但激光加工分辨率仍然徘徊在微米量级,制约了激光直写在纳米领域的应用。为了进一步提高加工分辨率,突破阿贝成像的衍射极限已成为必然趋势。此外,目前的激光直写设备主要使用的受体材料是有机光刻胶,严重限制了它的应用场景。针对上述两个难题,寻找新的技术原理、研究新原理下的激光直写方法、研发新一代激光直写装备等科学技术问题,具有重要的理论和实际意义。
- 刘前郭传飞王永胜张浩然张浩然
- 关键词：激光直写激光系统数值孔径微纳米结构掩模板光刻胶
- 一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法
- 一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2(1‑x)</Sub>Bi<Sub>2x</Sub>Te<Sub>5</Sub>(GS...
- 李建政刘前朱星张浩然
- 文献传递
- 一种基于大面积超分辨激光直写系统的图形刻写方法
- 本发明提供一种基于大面积超分辨激光直写系统的图形刻写方法，通过将源图形文件进行一定角度顺时针或逆时针旋转，并沿周期性边界裁剪校正，进而输出多个已分割并编号的单帧刻写图形，用以整合扫描方向和步进方向刻写效果的差异，使得最终...
- 王闯张浩然刘前
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- 大面积多级次表面褶皱结构及其制备
- 本发明提供一种大面积多级次表面褶皱结构，是具有双周期的多级次褶皱结构，其中小周期褶皱的周期为100‑200nm，大周期褶皱的周期为3‑4μm。本发明还提出所述大面积多级次表面褶皱结构的制备方法。本发明制备得到的多级次双周...
- 张浩然刘前
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- 一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法
- 一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2(1-x)</Sub>Bi<Sub>2x</Sub>Te<Sub>5</Sub>(GS...
- 李建政刘前朱星张浩然
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- 大面积多级次表面褶皱结构及其制备
- 本发明提供一种大面积多级次表面褶皱结构，是具有双周期的多级次褶皱结构，其中小周期褶皱的周期为100‑200nm，大周期褶皱的周期为3‑4μm。本发明还提出所述大面积多级次表面褶皱结构的制备方法。本发明制备得到的多级次双周...
- 张浩然刘前
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