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李建政

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇电路
  • 2篇选择比
  • 2篇氧化性
  • 2篇正胶
  • 2篇微纳加工
  • 2篇集成电路
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化合物
  • 1篇基底
  • 1篇基底表面
  • 1篇靶材
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇国家纳米科学...

作者

  • 3篇刘前
  • 3篇李建政
  • 2篇朱星
  • 2篇张浩然
  • 1篇席洪柱

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法
一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2(1‑x)</Sub>Bi<Sub>2x</Sub>Te<Sub>5</Sub>(GS...
李建政刘前朱星张浩然
文献传递
硫系相变化合物与半导体基底产品及其制备方法与应用
本发明公开了一种硫系相变化合物与半导体基底产品及其制备方法与应用。所述半导体基底产品的制备方法包括在基底表面沉积抗刻蚀薄膜，并通过将所述抗刻蚀薄膜的一部分去除的方式在所述基底上形成抗刻蚀图案，然后对所述半导体基底进行刻蚀...
席洪柱李建政刘前
文献传递
一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法
一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2(1-x)</Sub>Bi<Sub>2x</Sub>Te<Sub>5</Sub>(GS...
李建政刘前朱星张浩然
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