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张景超

作品数：79 被引量：16H指数：2
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 71篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 34篇晶体管
  • 18篇绝缘栅
  • 17篇多晶
  • 17篇多晶硅
  • 17篇双极晶体管
  • 17篇绝缘栅双极晶...
  • 15篇氧化层
  • 15篇二极管
  • 14篇光刻
  • 13篇源区
  • 11篇栅氧化
  • 10篇栅氧化层
  • 10篇硅片
  • 9篇漂移区
  • 9篇沟槽
  • 8篇场限环
  • 7篇电阻
  • 7篇淀积
  • 7篇多晶硅栅
  • 7篇压降

机构

  • 78篇江苏宏微科技...
  • 2篇沈阳工业大学

作者

  • 79篇张景超
  • 66篇赵善麒
  • 58篇戚丽娜
  • 53篇刘利峰
  • 31篇林茂
  • 17篇王晓宝
  • 7篇吴迪
  • 4篇刘清军
  • 4篇钱锴
  • 4篇李栋良
  • 3篇周东海
  • 2篇陆界江
  • 1篇关艳霞
  • 1篇赵善麒
  • 1篇姚天保

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇2008年中...
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 12篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 8篇2008
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型SiC MOSFET功率器件
本实用新型提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；源区，源区设置于漂移区上；阱区，阱区设置于源区上；沟道区，沟道区设置于源区上；沟槽，沟槽平...
张景超赵善麒
双栅MOS结构的功率晶体管
本实用新型涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅氧化层相连，第三掺杂层位于第二掺杂层内并与栅氧化层相连，绝缘介质层覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层覆在绝缘介质层上...
张景超戚丽娜刘利峰王晓宝赵善麒
文献传递
绝缘栅双极晶体管的源区结构
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源区注...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒王晓宝
文献传递
新型沟槽IGBT半导体器件
本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述...
戚丽娜张景超井亚会俞义长赵善麒
二极管器件及其制作方法
本发明提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多...
张景超戚丽娜林茂井亚会俞义长赵善麒
双向RC-MPT IGBT器件及其制作方法
本发明提供一种双向RC‑MPT IGBT器件，包括：N‑漂移区；N型载流子存储层，N型载流子存储层位于N‑漂移区之上；P型阱区，P型阱区位于N型载流子存储层之上；元胞结构，元胞结构为多个，多个元胞结构位于N‑漂移区的上部...
戚丽娜张景超俞义长陈国康赵善麒
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计要点
本文介绍了IGBT的基本结构和工作原理，介绍IGBT的特性，针对各个特性，着重分析讨论IGBT设计中的关键参数，IGBT设计中需要协调的几个参数。
赵善麒张景超刘利峰王晓宝
关键词：关键参数绝缘栅双极晶体管
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一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本实用新型属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距...
井亚会戚丽娜俞义长张景超林茂刘利峰赵善麒
文献传递
新型绝缘栅双极晶体管背面结构
本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极。本实用新型将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N<...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
文献传递
一种功率器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率器件，包括N基体、P‑外延层和栅极，所述N基体上形成P‑外延层，所述P‑外延层内设有沟槽，所述P‑外延层内形成有相互隔离的第一N+层和第二N+层,所述第一N+层电连接位于所述P‑...
张景超赵善麒
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