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李玉柱

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：北京京仪椿树整流器有限责任公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇软恢复
  • 3篇二极管
  • 2篇电力
  • 2篇电力半导体
  • 2篇生产工艺
  • 2篇晶闸管
  • 2篇快速晶闸管
  • 2篇快速软恢复
  • 2篇高频
  • 2篇高频器件
  • 2篇半导体
  • 1篇少子寿命
  • 1篇快恢复二极管
  • 1篇功率
  • 1篇N+
  • 1篇PIN
  • 1篇大功率

机构

  • 4篇北京京仪椿树...
  • 1篇西安理工大学

作者

  • 4篇李玉柱
  • 2篇尹启堂
  • 2篇黄耀先
  • 1篇邢毅
  • 1篇安涛
  • 1篇史姝岚

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
300-500A/600-2500V快(软)恢复二极管
尹启堂李玉柱史姝岚
项目主要研究内容是实现IGBT模块的“伴侣”芯片-快(软)恢复二极管FRD的产业化，建设一条工艺先进、质量可靠的FRD芯片生产线，实现FRD芯片的加工及系列产品的封装。解决的主要技术问题包括：产品结构设计、工艺路线和流程...
关键词：
大功率快速软恢复二极管及其生产工艺
本发明涉及一种电力半导体变流装置的关键器件大功率快速软恢复二极管及其生产工艺，其硅芯片结构为P<Sup>+</Sup>PINN<Sup>+</Sup>型结构，其生产工艺增加了纸源扩散、氧化、硅片扩铂、喷角、芯片电子辐照等...
黄耀先李玉柱李善谟
文献传递
双基区大功率快恢复二极管的研究被引量：3
2010年
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。
尹启堂李玉柱安涛邢毅
关键词：软恢复少子寿命
大功率快速软恢复二极管生产工艺
本发明涉及一种电力半导体变流装置的关键器件大功率快速软恢复二极管生产方法，其硅芯片结构为P<Sup>+</Sup>PINN<Sup>+</Sup>型结构，其生产工艺增加了纸源扩散、氧化、硅片扩铂、喷角、芯片电子辐照等工艺...
黄耀先李玉柱李善谟
文献传递
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