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安涛

作品数:84 被引量:112H指数:7
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 22篇专利
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 12篇理学
  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇单晶
  • 14篇单晶炉
  • 11篇光电
  • 10篇空穴
  • 10篇磁场
  • 8篇异质结
  • 8篇半导体
  • 7篇电路
  • 7篇探测率
  • 7篇外量子效率
  • 7篇量子效率
  • 7篇光谱
  • 7篇场强
  • 7篇磁场强度
  • 6篇电压
  • 6篇探测器
  • 6篇集成电路
  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 5篇电特性

机构

  • 84篇西安理工大学
  • 2篇中色(宁夏)...
  • 2篇北京京仪椿树...
  • 2篇国家钽铌特种...
  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 84篇安涛
  • 31篇高勇
  • 8篇张新
  • 8篇王彩琳
  • 7篇李守智
  • 5篇李春光
  • 5篇刘梦新
  • 4篇余宁梅
  • 4篇张俊
  • 4篇马剑平
  • 4篇高勇
  • 4篇张如亮
  • 3篇祁慧
  • 3篇杨媛
  • 3篇孔荆钟
  • 3篇李朋
  • 3篇李波
  • 3篇袁进
  • 2篇林涛
  • 2篇刘飞航

传媒

  • 10篇光子学报
  • 7篇西安理工大学...
  • 6篇人工晶体学报
  • 3篇仪器仪表学报
  • 3篇发光学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇集成电路通讯
  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇光电工程
  • 2篇兵器材料科学...
  • 2篇微电子学
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电机与控制学...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇兵工学报
  • 1篇环境污染治理...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 10篇2019
  • 9篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 5篇2003
84 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种有机光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机光电探测器及其制备方法,包括玻璃基片,玻璃基片表面上镀有ITO电极层,ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、阴极缓冲层及Al电极层;活性层的材料为P3HT、PC<Sub>61</Sub>B...
安涛刘欣颖
掺杂红荧烯对有机太阳能电池性能影响的研究被引量:1
2013年
对ITO/CuPc(15nm)/Rubrene(x%):CuPc:C60(1:1)/C60(30nm)/A1(100nm)结构的小分子有机太阳能中活性层I层厚度以及掺杂不同浓度红荧烯(Rubrene)材料对电池的制作工艺和性能影响进行了研究。实验结果表明:在有机太阳能电池的活性层厚度为20nm,掺入浓度为40%的红荧烯材料中电池的短路电流密度增加了42.1%,开路电压提高了13.3%,填充因子为0.31,能量转换效率增加了39.9%。表明红荧烯在460~530nm波段对光子更为有效吸收,且能增加更多有效激子的形成,从而使有机光伏器件的性能得到显著提升。
杨梅安涛
关键词:有机太阳能电池
红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究被引量:1
2013年
采用真空热蒸镀的方法在高精度膜厚控制仪的监控下,对多层红光OLED空穴注入层2-TNATA有机薄膜蒸镀工艺的条件及厚度对器件的发光性能进行实验研究。实验表明制备理想的2-TNATA薄膜工艺条件为,基板与蒸发源距离为24 cm,束源炉蒸发孔径为1.5 mm,基片温度为50℃,蒸镀温度为230℃,具有空穴注入层器件较无此层器件的发光性能得到显著提高,其空穴注入层最佳厚度为20 nm。该器件在12 V电压下亮度从1800 cd/m2提高到7600 cd/m2,提高了4倍,发光效率从1.8 cd/A提高到2.6 cd/A,提高了1.4倍,光谱峰值为618 nm。
袁进安涛夏艳峰
关键词:空穴注入层
新型片式铌电容器老化方法的研究
2004年
根据铌电容器的失效状态,针对片式铌电容器后期筛选工艺进行研究,在通用的静态老化方法基础上引入了一种动态老化方法,并通过实验确定了这两种老化方法合理的老化工艺参数。采用静态老化与动态老化相结合的老化方法,可以进一步提高片式铌电容器产品的可靠性,满足工业化应用的要求。
李春光高勇安涛董宁利
关键词:可靠性老化方法
集成门极换流晶闸管IGCT被引量:8
2000年
介绍了一种新型电力半导体器件——集成门极换流晶闸管 (IGCT)的特性、工作原理、关键技术及其应用情况 ,并指出它必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件。
王彩琳安涛李福德
关键词:IGCT集成门极换流晶闸管电力半导体
两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟
2004年
提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。
祁慧高勇余宁梅马丽安涛
关键词:PIN二极管
四元宽光谱高比探测率有机光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种四元宽光谱高比探测率有机光电探测器,包括玻璃基片,玻璃基片的一个表面上镀有ITO电极层,ITO电极层表面由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、阴极缓冲层及Al电极层。本发明还公开了一种四元宽光谱高比探测率...
安涛王永强
文献传递
低电压倍增型高比探测率蓝光有机光电探测器被引量:1
2018年
选取光电倍增结构探测器,在聚(3-己基噻吩)(P3HT)∶[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(PC_(61)BM)中掺入小比例碳60(C60)作电子陷阱,研究了在陷阱辅助作用下引入阴极空穴隧穿注入产生光电倍增的机理以及C_(60)浓度对器件光电性能的影响.当电子陷阱C60浓度为1.5wt.%时,-0.5V偏压下探测器在波长为455nm、光功率为0.21mW·cm^(-2)光照下外量子效率为436.4%,响应度为1.62A·W^(-1),比探测率为2.21×10^(13) Jones,线性动态范围约为100dB.光照下部分光生电子被活性层中的陷阱俘获,特别是在靠近阴极Al处的电子积累,将诱导阴极空穴隧穿注入,结合利用体异质结探测器低工作电压的优势,可大幅提高光电流,从而获得低工作电压、高比探测率的探测器.
安涛龚伟刘欣颖
关键词:电子陷阱
双发光层结构和双金属电极的绿光微腔OLED
2017年
制备双金属电极的绿光微腔器件,其结构为Al(15nm)/MoO_3(4nm)/2T-NATA(10nm)/NPB(15nm)/NPB:C545T(x%,20nm)/Alq3:C545T(4%,20nm)/Bphen(35nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),其中x为掺杂浓度。实验表明:当掺杂浓度为3%时,器件有最好的光电性能,记为器件B_1。为分析微腔效应,制备基于ITO的参考器件B_2。B_1和B_2色坐标分别为(0.289,0.620)和(0.317,0.557),所以微腔器件的发光颜色更绿。在100mA/cm^2时,器件B_1和B_2的亮度分别为5076cd/m^2和4818cd/m^2,且最大亮度为9277.7cd/m^2,10440cd/m^2;在100mA/cm^2时,器件B_1和B_2的发光效率为6.0cd/A和5.61cd/A,且最大发光效率分别为8.6cd/A和7.97cd/A。与参考器件相比,绿光微腔器件具有更好的发光效率和颜色纯度,其主要归因于微腔效应。
安涛吴俊宇李朋杨圣丁志明
关键词:OLED
一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法,包括玻璃基片,玻璃基片表面上镀有ITO电极层,ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、Al电极层;阳极缓冲层的材料为C<Sub>60</Sub>,活性层的...
安涛张俊
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