王彩琳
- 作品数：112 被引量：135H指数：7
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 薄膜全耗尽应变Si SOI MOSFET特性模拟与优化分析(英文)被引量：2
- 2008年
- 研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件的驱动电流和峰值跨导都有明显提高,对n-FET分别为21%和16.3%,对p-FET为14.3%和10%。应变Si沟道的引入还降低了器件的阈值电压,这有益于集成电路中供电电压的降低和电路功耗的减小。另外,本文还对新结构中的Ge含量进行了优化分析,认为当Ge含量为30%时,器件有较好的电特性,而且不会增加器件制作的工艺成本。
- 刘静高勇王彩琳黄媛媛
- 关键词：应变硅全耗尽驱动电流
- 一种波状p基区IEC-GCT的特性分析
- 本文在传统的注入效率可控的(IEC)-GCT 结构中,通过n 扩散层的掩蔽作用引入了一种波状的p 基区结构。利用ISE 软件模拟了该波状p 基区IEC-GCT 器件在常温和高温下的静、动态特性,并与传统的IEC-GCT ...
- 王彩琳付凯高勇
- 关键词：电力半导体器件门极换流晶闸管
- 文献传递
- IGCT阻断特性模拟
- 本文通过对IGCT结构特点及工作原理的定性分析,建立了IGCT的结构模型,并利用MEDICI软件对IGCT的阻断特性进行了模拟分析,给出了2800V IGCT纵向结构设计参数和I-U特性模拟曲线。
- 王彩琳安涛高勇
- 文献传递
- 一种沟槽‑场限环复合终端结构及其制备方法
- 本发明公开了一种沟槽‑场限环复合终端结构，包括有源区和终端区，有源区和终端区共同的n<Sup>‑</Sup>区向下连接有n场阻止层，n场阻止层下方连接有n<Sup>+</Sup>阴极区及其阴极铝电极；在有源区中，n<Su...
- 王彩琳张磊
- 文献传递
- MOS型功率半导体器件的最新进展
- 2002年
- 综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。
- 安涛王彩琳等
- 关键词：功率MOSFET
- 一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET结构及制作方法
- 本发明公开了一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET结构，衬底的N<Sup>+</Sup>漏区上设有N<Sup>‑</Sup>辅助层，N<Sup>‑</Sup>辅助层上方两侧为超结区，每侧超结区上方的P体区靠内设有一个N<Sup>...
- 王彩琳汤雨欣苏乐杨武华
- 文献传递
- 一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT及制备方法
- 本发明公开了一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT，GCT-A与GCT-B部分在n-区向上设置相同；GCT-B部分n-区向下设置有n场阻止层，n场阻止层的下方并排设置有p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ，p+...
- 王彩琳高秀秀
- 高压IGBT雪崩鲁棒性的研究
- 2023年
- 随着绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)电压等级的提升和电流容量的增大,雪崩效应已成为限制器件安全工作区(safe operating area,SOA)的重要因素.雪崩发生后IGBT背面p+n结的空穴注入是其雪崩效应区别于其他器件的主要特征.本文通过理论分析与数值模拟的方法研究了IGBT雪崩击穿特性以及雪崩产生电流丝的性质,揭示了控制雪崩产生电流丝性质的物理机制.结果表明IGBT背面的空穴注入导致其雪崩击穿曲线上产生额外的负微分电阻分支;器件共基极电流增益α_(pnp)是决定雪崩产生电流丝的关键因素,随着α_(pnp)的增大,雪崩产生的电流丝强度越强、移动速度越慢,从而导致器件的雪崩鲁棒性越弱.
- 杨武华王彩琳张如亮张超苏乐
- 关键词：IGBT雪崩效应鲁棒性
- 一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法
- 本发明公开了一种具有连通型存储层的高压IGBT，在n<Sup>-</Sup>硅衬底的上方中间沟槽内和两侧的平面部分有栅氧化层，栅氧化层上方设有T型的多晶硅层，称为沟槽-平面栅极G；沟槽-平面栅极G两侧n<Sup>-</S...
- 王彩琳井亚会
- 文献传递
- 一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法
- 本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括在n<Sup>+</Sup>硅衬底层上面连接有n<Sup>－</Sup>外延层，n<Sup>－</Sup>外延层的上方设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一...
- 王彩琳孙丞
- 文献传递
