史文
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 溶液加工法制备的氧化物薄膜晶体管
- 基于氧化锌（ZnO）的氧化物半导体材料由于其具有迁移率高、可见光透过性好、制备成本较低等优点而被认为是最适合作为薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）的有源材料之一。目前，基于溅射工艺的ZnO（...
- 史文
- 关键词：薄膜晶体管氧化物氧化锌掺杂
- 文献传递
- 低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管
- 2015年
- 为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景.
- 兰林锋宋威史文彭俊彪
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌
