李小龙
- 作品数：37 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法
- 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射...
- 孙静荀明珠刘海涛张兴尧李小龙崔江维郑齐文李豫东郭旗
- 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法
- 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶...
- 郑齐文崔江维李小龙魏莹余学峰李豫东郭旗
- 文献传递
- 双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究被引量：2
- 2018年
- 对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。
- 贾金成陆妩吴雪张培健孙静王信李小龙刘默寒郭旗郭旗
- 关键词：^60CO-Γ辐射
- 典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估被引量：4
- 2018年
- 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
- 李小龙陆妩陆妩王信何承发郭旗何承发孙静于新姚帅魏昕宇
- 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
- 2020年
- 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。
- 王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩
- 关键词：SIGEBICMOS偏置条件界面态
- 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法
- 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率...
- 李小龙王信刘默寒于新郑齐文孙静李豫东郭旗陆妩
- 双极器件ELDRS效应研究进展被引量：4
- 2019年
- 电离总剂量是航天电子系统辐射效应研究的重要问题,其中双极器件因其特有的低剂量率损伤增强(Enhanced low Dose Rate Sensitivity,ELDRS)效应,已成为航天用双极器件抗电离总剂量效应发展重点突破的方向及难点问题。本文综述了ELDRS效应及低剂量率加速评估技术的研究进展,并结合ELDRS效应难点问题,给出了最新关于ELDRS效应的研究结果。试验结果表明,采用变温辐照方法不仅可以保守地用于双极器件在0~200 krad(Si)范围的ELDRS效应评估,将评估时间从7.7个月缩短至11 h,还可将其应用于双极模拟电路总剂量和单粒子协同效应的评估,同样可以获得保守且快速的评估效果。
- 陆妩李小龙于新王信刘默寒姚帅常耀东
- 关键词：双极器件剂量率效应
- 双极电压比较器LM311的电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究
- 本文研究了电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)对双极电压比较器LM311的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的影响.首先将双极电压比较器放置在钴源中进行辐照,在10...
- 姚帅陆妩于新李小龙王信刘默寒孙静常耀东席善学郭旗
- 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法
- 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产...
- 于新陆妩王信李小龙刘墨寒孙静李豫东郭旗
- 低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究
- 2020年
- 在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。
- 于新陆妩陆妩荀明珠王信王信李小龙
- 关键词：电荷收集
