高国智
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 硅外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述...
- 高国智陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚
- 文献传递
- 反型外延片制备方法
- 本发明涉及一种外延片制备方法，尤其涉及一种在P型衬底上制备N型外延层的反型外延片的制备方法。该方法打破传统工艺中制备外延片时温度和氢气流量保持不变的制备方法，在制备本征阻挡层时提高了单片炉炉内的温度和通入氢气的流量，使大...
- 赵丽霞高国智
- 文献传递
- 硅外延基座结构及外延炉
- 本实用新型提供了一种硅外延基座结构及外延炉，涉及外延炉设备技术领域，包括基座，基座上设有用于容纳衬底的片坑，片坑内设有若干个用于向外周导送气体的排气槽，排气槽的外端延伸至片坑的外周边缘，排气槽的内端与片坑的轴线之间间隔设...
- 吴会旺薛宏伟郝东波高国智侯志义
- 文献传递
- 组分渐变的SiGe HBT材料的生长
- SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(ft)、最大振荡频率(fMAX)等都精确地依赖于基区中Ge的分布剖面及基区掺杂的分布。综合分析了基区内Ge及掺杂分布对器件特性的影响,并利用LPCVD生长出了满足器件设计...
- 赵丽霞高国智陈秉克袁肇耿张鹤鸣
- 关键词：异质结双极晶体管迁移率禁带宽度截止频率
- 文献传递
- 200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
- 2022年
- 重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线。结果表明,随着衬底倒角背面幅长和基座背面凹槽深度的增加,外延片的滑移线长度均呈现先减小后增大的趋势。衬底倒角最佳背面幅长为500μm,基座背面凹槽的最佳深度为0.80 mm。同时,在873 K下恒温3 min的升温工艺可以减少厚层硅外延片的滑移线。
- 袁肇耿刘永超张未涛高国智赵叶军
- 关键词：高压IGBT滑移线
- 硅外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm ‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所...
- 高国智陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚
- 反型外延片制备方法
- 本发明涉及一种外延片制备方法，尤其涉及一种在P型衬底上制备N型外延层的反型外延片的制备方法。该方法打破传统工艺中制备外延片时温度和氢气流量保持不变的制备方法，在制备本征阻挡层时提高了单片炉炉内的温度和通入氢气的流量，使大...
- 赵丽霞高国智
- 肖特基二极管用硅外延片过渡区控制研究
- 2016年
- 肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,具有正向压降小、开关频率高等特点,高性能的肖特基二极管器件需要高质量的外延材料,生长出高质量的外延层成了制作高频肖特基二极管的关键。
- 侯志义高国智王铁刚
- 关键词：肖特基
- 一种改善硅外延片翘曲度的方法
- 本发明公开了一种改善硅外延片翘曲度的方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）准备硅外延片：制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片；（2）退火：将准备的硅外延片放入反应室，在650-1050℃下保温10-30min...
- 赵丽霞高国智
- 文献传递
