袁肇耿
- 作品数：61 被引量：43H指数：5
- 供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
- 发文基金：河北省科技厅科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
- 硅外延用石墨基座
- 本实用新型提供了一种硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，存放凹槽为圆形，存放凹槽槽底为弧形面，且存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干排气孔均布在存放凹槽槽底。本实用新...
- 王刚袁肇耿吴晓琳冯聚坤张晓博王凯达
- 8英寸高压快恢复二极管用外延材料的生长
- 快恢复二极管是一类很重要的开关器件，目前已在各种电子设备特别是开关电源中广泛应用。随着开关器件的不断进步，工作频率的不断提高，对相关功率二极管性能的要求也越来越高，其中尤以与开关器件匹配使用的功率二极管要求最为特殊，该二...
- 赵丽霞袁肇耿王艳祥候志义
- P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
- 本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）选用P+〈111〉/Boron单面抛光片；（2）HCl抛光；（3）吹扫；（4）双层外延生长：采用高纯度SiHCl<Sub>...
- 侯志义袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉
- 文献传递
- 高压VDMOS用外延片的外延参数设计被引量：8
- 2009年
- 通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性。特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差。
- 赵丽霞袁肇耿张鹤鸣
- 关键词：过渡区击穿电压硅外延
- 组合式衬底托盘
- 本实用新型提供了一种组合式衬底托盘，属于半导体技术领域，至少包括一个石墨外环和一个石墨中心盘，石墨外环和石墨中心盘同心嵌套组成一个完整的外延衬底托盘，石墨外环和石墨中心盘具有不同的热导率。本实施例提供的组合式衬底托盘，选...
- 吴会旺杨龙薛宏伟袁肇耿
- 文献传递
- 改善硅外延片背面边缘长硅的方法
- 本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的...
- 米姣薛宏伟袁肇耿刘永超侯志义任丽翠
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- 重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法
- 本发明公开了一种重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法。本发明采用化学气相沉积技术，在n型重掺砷硅衬底上分两次生长轻掺的薄硅外延层。即生长完第一层本征外延层后，降至870-930℃取出，此期间通入HCl腐蚀基座除去记忆效应，...
- 赵丽霞袁肇耿陈秉克薛宏伟
- 文献传递
- 衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
- 2021年
- 硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比。衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线。进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大。综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性。
- 米姣张涵琪薛宏伟袁肇耿吴会旺
- 关键词：不均匀性滑移线击穿电压
- 低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法
- 本发明公开了一种低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法，本发明通过调节升温的程序及氢气流量的仔细配合，控制优化每一步的升温时间，使片子在热处理过程中来自衬底杂质外扩，再加上氢气赶气，最终使得硅外延片的过渡区达到1.2-1...
- 赵丽霞袁肇耿
- 文献传递
- 200mm高阻厚层Si外延技术研究被引量：7
- 2008年
- 针对国内市场对200mm Si外延产品需求持续增长,其中高阻厚层产品需求量最大的情况,研制开发了200mm高阻厚层Si外延片,解决了规模生产中工艺参数控制的稳定性、均匀性和一致性。介绍了一种实用工艺方法,即在常压外延设备上,对200mm高阻厚层Si外延片的生长进行工艺开发,考虑了该产品生产过程中影响工艺参数的主要因素,在产品结晶质量、自掺杂控制、均匀性控制、背面控制等方面进行了专题研究,得到了良好结果,已应用于规模生产。
- 袁肇耿魏毓峰
- 关键词：自掺杂均匀性
