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张建辉

作品数：6 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇硅
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化镓
  • 1篇低能离子
  • 1篇低能离子束
  • 1篇淀积
  • 1篇氧化硅
  • 1篇碳膜
  • 1篇锑化镓
  • 1篇图形衬底
  • 1篇外延膜
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束外延
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇金属硅化物
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇硅化物

机构

  • 6篇中国科学院
  • 3篇北京师范大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 6篇张建辉
  • 5篇刘志凯
  • 4篇姚振钰
  • 4篇秦复光
  • 3篇林兰英
  • 3篇吴正龙
  • 2篇廖梅勇
  • 1篇范正修
  • 1篇柴春林
  • 1篇王占国
  • 1篇黄大定
  • 1篇杨少延
  • 1篇贺洪波
  • 1篇张建辉
  • 1篇高维滨
  • 1篇张国炳

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第七届全国固...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
低能离子束沉积碳膜的高温生长机理
在高温下用低能离子束沉积了非晶碳膜，用原子力显微镜，Raman谱，俄歇深度谱对其生长机理进行了研究。
廖梅勇刘志凯张建辉
关键词：低能离子束高温条件非晶碳膜
文献传递
在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究被引量：1
1998年
利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析．
吴正龙姚振钰张建辉刘志凯秦复光
关键词：XPSRDE硅SEM
CoSi_2超薄外延膜的生长研究被引量：4
1998年
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
关键词：离子束外延
图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2
1999年
本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英
关键词：金属硅化物钴
在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性被引量：4
2000年
室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射 ,其强度与晶体质量有关。
姚振钰贺洪波柴春林刘志凯杨少延张建辉廖梅勇范正修秦复光王占国林兰英
关键词：ZNO薄膜SI衬底光学特性XRD
在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究
1998年
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种．
黄大定高维滨吴正龙张建辉张建辉
关键词：氮化镓锑化镓IBD
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