姚振钰
- 作品数：22 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究被引量：1
- 1998年
- 利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析．
- 吴正龙姚振钰张建辉刘志凯秦复光
- 关键词：XPSRDE硅SEM
- P-Si(111)上溅射生长ZnO薄膜的结构特性
- 姚振钰贺洪波
- 关键词：溅射ZNO薄膜结构特性
- 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2
- 1999年
- 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
- 吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英
- 关键词：金属硅化物钴
- 质量分离低能离子束制备极光滑类金刚石薄膜
- 本文利用质量分离的低能离子束技术沉积得到了表面极为平整的类金刚石薄膜。样品用Raman谱和原子力显微镜进行了分析。并且研究了沉积能量对表面形貌和成分的影响。
- 刘志凯廖梅勇姚振钰柴春林杨少延王占国
- 关键词：类金刚石薄膜表面形貌
- 文献传递
- 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响被引量：2
- 2001年
- 利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量大于 140eV ,80 0℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管 .用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向 ,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理 .
- 廖梅勇秦复光柴春林刘志凯杨少延姚振钰王占国
- 关键词：非晶碳膜表面形貌离子能量沉积温度
- 低能O+离子束辅助PLD法外延生长ZnO薄膜
- 采用低能O
- 杨少延柴春林刘志凯廖梅勇姚振钰秦复光王占国
- 关键词：低能FWHM
- 文献传递
- 用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜被引量：5
- 1995年
- 采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。
- 黄大定秦复光姚振钰刘志凯任治璋林兰英高维滨任庆余
- 关键词：硅IBD
- 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究被引量：6
- 1992年
- 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级.
- 姚振钰任治璋王向明刘志凯黄大定秦复光林兰英
- 关键词：半导体
- CoSi_2超薄外延膜的生长研究被引量：4
- 1998年
- 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
- 姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延
- 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
- 1993年
- 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
- 黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
- 关键词：硅单晶
