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万明

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：东华理工大学更多>>
发文基金：江西省教育厅青年科学基金教育部科学技术研究重点项目江西省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电子源
  • 2篇真空系统
  • 2篇纳米线
  • 2篇高真空
  • 2篇高真空系统
  • 2篇ALGAAS...
  • 2篇超高真空
  • 2篇超高真空系统
  • 1篇电学性能
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇气相沉积
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶体
  • 1篇晶体
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电发射

机构

  • 4篇东华理工大学
  • 1篇教育部

作者

  • 4篇万明
  • 3篇邹继军
  • 3篇彭新村
  • 3篇王炜路
  • 2篇冯林
  • 2篇常本康
  • 2篇张益军
  • 2篇邓文娟
  • 2篇程滢

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GaN基核辐射探测器研究
GaN的材料特性具有较宽的禁带宽度和较强的抗辐射强度，同时其共价键键能比较大，这些都使得它成为半导体核辐射探测领域的一个理想材料。目前使用较为普遍的Si基材料因其不能在高温、强辐射环境下应用而受到限制。因此对GaN基核辐...
万明
关键词：核辐射探测器GAN材料欧姆接触电学性能
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙Al...
邹继军万明冯林邓文娟彭新村程滢江少涛王炜路张益军常本康
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带...
邹继军万明冯林邓文娟彭新村程滢江少涛王炜路张益军常本康
文献传递
纳米晶体SiC薄膜制备方法研究进展被引量：3
2015年
纳米晶体Si C凭借其独特的物理、光学及电学特性成为适合在高温、高频、高功率、高辐照环境工作的绝佳半导体材料、核聚变反应堆包层材料和核辐射探测材料。本文对纳米晶体Si C的结构及其特性进行了介绍,综述了目前制备纳米晶体Si C的主要方法,包括磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、光化学气相沉积法和电子回旋共振化学气相沉积法,并对每种制备方法的工艺条件和材料特性进行了分析和总结。
万明王炜路彭新村邹继军
关键词：纳米晶体SIC磁控溅射化学气相沉积
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