彭新村
- 作品数：56 被引量：22H指数：2
- 供职机构：东华理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺
- 本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱...
- 邓文娟朱斌邹继军彭新村朱志甫王壮飞周甜
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaA...
- 汤彬邹继军陈大洪彭新村朱志甫
- 文献传递
- 一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法，该中子探测器以硅作为衬底，在硅衬底上下两面生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层，利用干法刻蚀在硅衬底上形成两面交叉90°的微沟槽结构，或者...
- 邹继军汤彬杨淑婷彭新村张明智朱志甫
- 一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限...
- 彭新村邹继军刘云邓文娟朱志甫王炜路冯林王智栋
- 文献传递
- GaInSb单结热光伏电池的设计与优化
- 2014年
- 使用Silvaco/Atlas软件设计、模拟并优化了GaInSb/GaSb单结热光伏电池,研究了器件材料厚度和掺杂浓度对电池性能的影响。主要从最大输出功率(Pm)、开路电压(Voc)和短路电流(Isc)这三个参数表征并分析电池器件的优劣。器件厚度主要通过对入射光的吸收率和光生载流子的收集效率影响热光伏电池的性能。而掺杂浓度对于热光伏电池特性的影响主要是从复合机制以及少子迁移率等方面体现。最后得到了优化后的器件结构。
- 李宝彭新村胡群虞亚君
- 关键词：计算机模拟
- 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
- 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n...
- 汤彬朱志甫邹继军王盛茂邓文娟彭新村
- 文献传递
- 一种双面交叉硅沟槽的湿法刻蚀制备方法
- 本发明公开了一种双面交叉硅沟槽的湿法刻蚀制备方法，以硅作为衬底层，在硅衬底上下双面采用化学气相沉积技术生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层，利用匀胶机在一面的Si<Sub>3</Sub>N<S...
- 邹继军汤彬杨淑婷彭新村张明智
- 变组分AlGaAs/GaAs透射式光电阴极分辨力特性分析被引量：2
- 2014年
- 建立了变组分AlGaAs/GaAs光电阴极二维载流子输运连续性方程.在一定的边界条件下,利用数值计算方法对此方程进行求解,得到了变组分AlGaAs/GaAs光电阴极调制传递函数(MTF)理论计算模型.利用该模型计算了透射式变组分和均匀组分阴极的理论MTF,分析了分辨力与Al组分变化范围、入射光子波长、AlGaAs和GaAs层厚度的关系.计算结果表明,变组分阴极与均匀组分阴极相比,阴极分辨力显著提高.当空间频率f在100—500 lp·mm-1区间时,分辨力的提高最为明显,如当f=200 lp·mm-1时,一般可提高150%—260%.变组分阴极分辨力的提高是内建电场作用的结果,但内建电场太大时,也会由于Al组分含量过高而影响阴极的长波响应.
- 邓文娟彭新村邹继军江少涛郭栋张益军常本康
- 关键词：内建电场分辨力调制传递函数
- 二氧化钒薄膜忆阻存储器
- 本实用新型涉及一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路...
- 卜毅邹继军朱志甫邓文娟彭新村
- 文献传递
- 一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制...
- 邹继军郭栋朱志甫彭新村邓文娟王炜路冯林张益军常本康
- 文献传递
