朱志甫
- 作品数：63 被引量：43H指数：4
- 供职机构：东华理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺
- 本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱...
- 邓文娟朱斌邹继军彭新村朱志甫王壮飞周甜
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器
- 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaA...
- 汤彬邹继军陈大洪彭新村朱志甫
- 文献传递
- 一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法，该中子探测器以硅作为衬底，在硅衬底上下两面生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化层，利用干法刻蚀在硅衬底上形成两面交叉90°的微沟槽结构，或者...
- 邹继军汤彬杨淑婷彭新村张明智朱志甫
- 一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限...
- 彭新村邹继军刘云邓文娟朱志甫王炜路冯林王智栋
- 文献传递
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、SiO<Sub>2</Sub>钝化层、微沟槽、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极，并在微沟槽内填充<Sup>6</...
- 叶鑫邹继军朱志甫陈大洪周青
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- 基于ARM的嵌入式挖掘机控制系统被引量：1
- 2009年
- 嵌入式技术已经广泛的应用于各种控制领域,将嵌入式技术应用于工程机械领域可以极大的提高其智能控制程度。文中提出了一种基于ARM与DSP的嵌入式运动控制系统,并将其应用于挖掘机控制系统。对挖掘机工作装置进行智能控制,能实现工作装置的自动控制。
- 朱志甫冯习宾
- 关键词：ARM工程机械智能控制
- 基于LabVIEW和USB伽玛能谱仪通信的实现
- 2011年
- 目前,传统的测量仪器处理单元的运算能力和数据储存容量有限,而采用以LabVIEW为代表的虚拟仪器技术,其数据传输和运算处理速度有质的飞跃。以LabVIEW为仪器仪表领域专业软件,设计人员可大大缩短开发周期,用户也更方便地完成对被测试信号的采集、存储、分析。
- 丁玉飞黄乡生管小明朱志甫
- 关键词：LABVIEW测量仪器虚拟仪器
- 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
- 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n...
- 汤彬朱志甫邹继军王盛茂邓文娟彭新村
- 文献传递
- 放射性建材测量理论被引量：1
- 2010年
- 放射性建材是人体天然辐射剂量的主要来源,引起了社会广泛的关注。文章从天然放射性测量的原理到屏蔽装置设计、测量时间选择、样品制备、及谱线分析等比较全面的介绍了放射性建材测量理论。
- 瞿金辉王仁波张雄杰谭海朱志甫满在刚
- GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究
- 2018年
- 分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用^(241)Am和^(239)Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器^(241)Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的^(241)Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。
- 朱志甫黄河邹继军汤彬
- 关键词：GAN能量刻度探测器能谱
