罗艳红
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 特高压晶闸管掺杂技术研究
- 2014年
- 特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功应用于"向家坝-上海±800KV/6400MW"特高压直流输电示范工程中。
- 高山城罗艳红张琦吴飞鸟高飞
- 关键词：晶闸管特高压直流输电
- 6300A/7200V特高压晶闸管
- 研究一种阻断结杂质浓度梯度反型低、中心对称径向变化的P型掺杂分布,形成一条同时提高负角类终端晶闸管di/dt、dv/dt,转折电压及通流能力的新途径.进而制造了全世界首只6300A、7200V最大功率晶闸管.该晶闸管综合...
- 王正鸣李玉玲罗艳红刘东
- 关键词：高压晶闸管
- 文献传递
- 特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：2
- 2014年
- 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
- 高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
- 关键词：阻断电压通流能力通态压降关断时间
- 高电压大功率晶闸管国产化
- 陆剑秋王正鸣马骏高建锋杜凯李建华刘惠玲薛斌罗艳红王双谋许长安
- 该项目从ABB半导体公司引进5英吋8500V、5英吋7200V三峡直流输电（HVDC）阀体核心器件及4英吋6500V工业用大功率晶闸管的制造工艺与测试技术，进行了设备论证采购、厂房及公用设施改造具备工艺生产能力，原材料、...
- 关键词：
- 关键词：半导体器件晶闸管直流输电
- 正反向对称类台面负角造型晶闸管结终端
- 本实用新型涉及一种正反向对称类台面负角造型晶闸管结终端，正、反向结终端区的P型掺杂层边缘为类台面负角造型。本实用新型保持正反向对称双负角类台面造型结终端，可使晶闸管正反向转折电压对称、可大幅减薄长基区、可减小阴极面损失，...
- 王正鸣马骏罗艳红张猛
- 文献传递
- 光控晶闸管的集成BOD转折电压
- 2014年
- 介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于"云南-广东±800 kV/5 000 MW"特高压直流输电工程中。
- 高山城罗艳红吴飞鸟李玉玲高飞
