您的位置: 专家智库 > >

马骏

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金:陕西省科技统筹创新工程计划项目西安市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇科技成果
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇晶闸管
  • 2篇直流
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇功率
  • 2篇国产化
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇大功率
  • 1篇电池
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇阴极
  • 1篇直流工程
  • 1篇直流输电
  • 1篇生产工艺
  • 1篇输电
  • 1篇太阳能

机构

  • 8篇西安电力电子...
  • 2篇西安理工大学

作者

  • 8篇马骏
  • 4篇王正鸣
  • 3篇陆剑秋
  • 2篇蒲红斌
  • 2篇高建锋
  • 2篇罗艳红
  • 2篇杜凯
  • 2篇王曦
  • 1篇封先锋
  • 1篇李建华
  • 1篇陈治明
  • 1篇许长安
  • 1篇张猛
  • 1篇刘惠玲
  • 1篇薛斌
  • 1篇陈治明
  • 1篇苗宏
  • 1篇田竹标

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇1993
  • 1篇1990
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制被引量:1
2016年
通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。
马骏王曦蒲红斌封先锋
关键词:二极管碳化硅
650V/50A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证被引量:1
2016年
对肖特基区宽度不同的4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了仿真与实验研究。根据研究结果设计了一款兼具高功率处理能力与超低漏电流的4H-SiC JBS二极管并进行实验验证。实验结果显示所设计器件通态电阻为36 mΩ,反向耐压650 V时漏电流小于10 nA,功率处理能力大于30 kVA。
马骏王曦蒲红斌陈治明
关键词:二极管大功率
新型电力半导体器件扩散工艺的二维模拟
马骏田竹标陈治明
关键词:扩散半导体器件计算机模拟
高压直流输电重大技术装备研制
宓传龙陆剑秋姚致清毛庆传苟锐锋班建郑军王健方晓燕卢有盟周登洪汪德华姚为正钟俊涛朱斌李文平刘桂雪帅远明王正鸣张望季世泽李侠陈荣郭宏光高敏华赵静月王明新王平左强林张欣维贾东旭李强马骏张建徐睿
该项目研究主要包括高压直流输电成套设备技术开发、设备研制、试验能力和技术规范、标准制订、关键技术研究及应用等。高压直流输电成套设备技术属于国际电工行业的前沿技术,研究和应用该技术,对中国直流输电成套设备技术升级,打破国外...
关键词:
关键词:高压直流工程
高电压大功率晶闸管国产化
陆剑秋王正鸣马骏高建锋杜凯李建华刘惠玲薛斌罗艳红王双谋许长安
该项目从ABB半导体公司引进5英吋8500V、5英吋7200V三峡直流输电(HVDC)阀体核心器件及4英吋6500V工业用大功率晶闸管的制造工艺与测试技术,进行了设备论证采购、厂房及公用设施改造具备工艺生产能力,原材料、...
关键词:
关键词:半导体器件晶闸管直流输电
用物理汽相沉积技术(PVD)制作太阳能电池的研究
苗宏马骏贾国军
关键词:太阳能电池气相沉积生产工艺物理处理硅膜
超高压大功率晶闸管的国产化
陆剑秋王正鸣马骏高建锋杜凯
超高压大功率晶闸管国产化项目是国家根据三峡工程国产化的需要而设立的。主要研制了5in7200V三峡直流输电(HVDC)阀体核心器件的制造工艺与测试技术。其主要特点:采用预沉积和推进分步掺杂,推进、氧化同时完成,形成优良的...
关键词:
关键词:超高压大功率晶闸管国产化
正反向对称类台面负角造型晶闸管结终端
本实用新型涉及一种正反向对称类台面负角造型晶闸管结终端,正、反向结终端区的P型掺杂层边缘为类台面负角造型。本实用新型保持正反向对称双负角类台面造型结终端,可使晶闸管正反向转折电压对称、可大幅减薄长基区、可减小阴极面损失,...
王正鸣马骏罗艳红张猛
文献传递
共1页<1>
聚类工具0