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刘丽媛

作品数：16 被引量：47H指数：5
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文基金：广州市科技计划项目国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 9篇电路
  • 9篇集成电路
  • 3篇塑封
  • 3篇热激
  • 3篇光激发
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻变化
  • 2篇金属化
  • 2篇封装
  • 1篇电离
  • 1篇电路分析
  • 1篇电路封装
  • 1篇电器
  • 1篇电压
  • 1篇电压变化
  • 1篇电压衬度
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元器件
  • 1篇氧化层
  • 1篇元器件

机构

  • 11篇信息产业部电...
  • 7篇中国赛宝实验...
  • 5篇工业和信息化...
  • 4篇中山大学
  • 2篇国家电网公司
  • 1篇复旦大学
  • 1篇成都华微电子...
  • 1篇学研究院

作者

  • 16篇刘丽媛
  • 3篇邝贤军
  • 3篇林晓玲
  • 3篇何胜宗
  • 2篇许广宁
  • 2篇石高明
  • 1篇彭泽亚
  • 1篇来萍
  • 1篇张蓬鹤
  • 1篇张卫欣
  • 1篇刘卿
  • 1篇王有亮
  • 1篇薛阳
  • 1篇李祯祥
  • 1篇吕伟嘉
  • 1篇蔡金宝
  • 1篇王宏芹
  • 1篇孙哲
  • 1篇陈航
  • 1篇袁光华

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 3篇微电子学
  • 2篇电子产品可靠...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇失效分析与预...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2013
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成电路氧化层失效定位技术研究被引量：5
2018年
介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点。结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位。最终,采用制样和物理分析方法,找到失效原因。案例分析表明,该方法精确、快速,可应用于CMOS集成电路的栅氧化层、双极集成电路的MOS电容氧化层、GaAs集成电路的MIM电容的失效定位,减少了后续FIB或RIE等物理分析方法的工作量,提高了失效分析的成功率。
陈选龙杨妙林李洁森刘丽媛黄文锋
关键词：集成电路
OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位被引量：9
2015年
基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。
陈选龙刘丽媛孙哲李庆飒
声学扫描分层的界面形貌观测方法研究
文章论述了声学扫描显微镜对塑封集成电路界面分析的原理和意义,给出了两种机械方法进行C模式声学扫描探测到的分层的界面形貌观测方法,并对两种方法的特点进行了阐述.最后文中给出了两种方法对应的应用实例,展示了塑封集成电路不同分...
刘丽媛陈选龙罗遐
关键词：塑封集成电路
基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究
2023年
EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。
陈选龙邝贤军邝贤军林晓玲林晓玲
关键词：电路分析集成电路
PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位被引量：6
2015年
漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜(PEM)和光束感生电阻变化(OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论:根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。
陈选龙陈航刘丽媛蔡金宝
关键词：集成电路漏电
GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究
2022年
介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。
刘丽媛郑林挺石高明林晓玲林晓玲来萍
关键词：GAAS集成电路
基于SEM电压衬度的缺陷定位方法研究被引量：1
2021年
光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷。首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电压衬度像分析,通过衬度翻转可精确和快速确定缺陷位置,最后通过FIB或者TEM对缺陷进行表征。案例研究显示,有源电压衬度可定位双极型电路铝金属化开路失效,无源电压衬度定位CMOS电路多晶硅栅刻蚀异常引起的漏电流失效,结合形貌和材料分析得出缺陷形成机理和根本原因。
陈选龙石高明郑林挺黎恩良刘丽媛刘丽媛林晓玲
基于失效物理的集成电路故障定位方法被引量：8
2019年
超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得失效分析难度增加。为了能够对故障点进行快速、精确定位,提出了基于失效物理的集成电路故障定位方法。根据CMOS反相器电路的失效模式提出了4种主要故障模型:栅极电平连接至电源(地)、栅极连接的金属化高阻或者开路、氧化层漏电和pn结漏电。结合故障模型产生的光发射显微镜(PEM)和光致电阻变化(OBIRCH)现象的特征形貌和位置特点,进行合理的失效物理假设。结果表明,基于该方法可对通孔缺陷、多层金属化布线损伤以及栅氧化层静电放电损伤失效进行有效的定位,快速缩小失效范围,提高失效分析的成功率。
陈选龙李洁森黎恩良刘丽媛方建明
关键词：集成电路失效物理
气体电离引发的可靠性问题研究被引量：1
2013年
由气体电离引起的飞弧现象会导致电力、电子设备出现可靠性问题,且往往不能由理论准确计算。文中分析了典型的由于空气电离引发飞弧放电现象导致电子元器件失效的案例及其现场特征;在多年失效分析经验基础上,给出了气体电离引发飞弧现象使电子元器件失效的现场判断方法和依据,分析并总结了工程应用中此故障产生的具体原因,并结合实际生产环境从产品设计、制造、使用等阶段,给出了提高可靠性的具体途径及方法。
刘丽媛李少平蔡伟
关键词：可靠性电子元器件
继电器触点金属熔融导致粘连失效的案例分析被引量：4
2013年
通过电学测量,开封观察,扫描电镜及能谱(SEM&EDS)等方法对触点粘连的继电器进行失效分析。失效案例展示了触点粘连失效的具体表现,并展示了此类失效的一般分析步骤和确认方法。分析结果表明,案例中继电器触点粘连的原因是触点之间的拉弧而导致其表面金属熔融。
刘卿张卫欣李祯祥吕伟嘉刘丽媛
关键词：继电器熔焊
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