邝贤军
- 作品数：8 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究
- 2023年
- EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。
- 陈选龙邝贤军邝贤军林晓玲林晓玲
- 关键词：电路分析集成电路
- 电子元器件和电子设备的静电放电试验比较
- 本文主要针对电子元器件和电子设备静电放电试验方法进行了对比分析,包括试验针对的产品对象、依据的试验标准、需要的试验设各以及具体的试验方法和合格判据等。
- 来萍邝贤军梁晓思
- 文献传递
- 电子元器件和电子设备的ESD试验方法比较被引量：1
- 2009年
- 主要针对电子元器件和电子设备静电放电试验方法进行了对比分析,包括试验针对的产品对象、依据的试验标准、需要的试验设备以及具体的试验方法和合格判据等。
- 来萍邝贤军梁晓思
- 关键词：静电放电
- 应力诱发的电迁移失效分析被引量：1
- 2015年
- 电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法。通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路。
- 陈选龙石高明蔡伟邝贤军
- 关键词：集成电路互连
- 电子元器件静电放电敏感度(ESDS)检测被引量：2
- 2003年
- 静电放电敏感度(ESDS)是电子元器件的重要可靠性参数之一。本文从检测目的、标准波形、检测标准及委托程序几个方面阐述了ESDS的检测方法。
- 来萍钟征宇邝贤军
- 关键词：电子元器件可靠性标准波形
- 电子元器件和电子设备的静电放电试验比较
- 本文主要针对电子元器件和电子设备静电放电试验方法进行了对比分析,包括试验针对的产品对象、依据的试验标准、需要的试验设备以及具体的试验方法和合格判据等.
- 来萍邝贤军梁晓思
- 关键词：电子元器件电子设备
- 文献传递
- 塑料封装金属丝键合器件的开封方法
- 本发明公开了一种塑料封装金属丝键合器件的开封方法，属于电子元器件失效分析技术领域。该开封方法包括平磨、割槽、分离步骤，其中：平磨步骤中：用120-2000目的砂纸对器件进行研磨，研磨面为芯片有源面的塑封一侧，逐渐研磨去除...
- 何胜宗邝贤军王有亮武慧薇彭泽亚刘丽媛许广宁陈选龙袁光华李伟
- 文献传递
- 基于热激光激发OBIRCH技术的失效分析被引量：11
- 2015年
- 针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。对技术原理进行了综述,并利用OBIRCH激光扫描显微镜对功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、集成电路静电放电(ESD)保护端口和金属-绝缘体-金属(MIM)电容进行失效定位。结果表明TLS技术对于短路、漏电以及电流路径成像的定位十分有效。特别是难以观察的微小失效如晶体管击穿、铝硅互熔短路和介质层裂纹等。OBIRCH技术对精确和快速地定位多层金属化布线、新型封装的短路和阻性缺陷等方面有着重要的作用。
- 陈选龙刘丽媛邝贤军许广宁崔仕乐
