李浩然
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种无铅磁电复合薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种无铅磁电复合薄膜及其制备方法，所述磁电复合薄膜包括0.5BaZr<Sub>0.2</Sub>Ti<Sub>0.8</Sub>O<Sub>3</Sub>-0.5Ba<Sub>0.7</Sub>Ca<Sub>0...
- 李浩然郑仁奎郑明李效民
- 文献传递
- 一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法
- 本发明涉及一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法，选用氧化镁粉体和氧化钛粉体作为烧结助剂，直接与氧化钇粉体混合后压制成坩埚素坯，再进行烧结致密化，得到致密的氧化钇陶瓷坩埚；优选地，所述烧结助剂的含量为10～25wt%。
- 刘岩李浩然刘学建黄政仁
- 文献传递
- PrBi_4Fe_(0.5)Co_(0.5)Ti_3O_(15)多铁陶瓷的性能研究
- 2015年
- 采用传统固相反应法与两步合成法制备了Pr Bi4Fe0.5Co0.5Ti3O15陶瓷,研究了Pr与Co共掺杂对Bi5Fe Ti3O15陶瓷的结构、磁性能以及介电性能的影响。X射线衍射分析显示,传统固相反应法制备的样品比两步法制备的样品更容易形成单相结构。铁电和磁性测量证明样品具有多铁性,并且Pr与Co共掺杂能大幅提高材料的磁性能,固相反应法与两步合成法制备的样品在室温下的剩余磁化强度(2Mr)分别为0.315,0.576 Am2/kg,比文献报道的Bi5Fe Ti3O15陶瓷的2Mr(2.7×10-6 Am2/kg)高5个数量级,比掺Co的Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15陶瓷2Mr(7.8×10-3 Am2/kg)高2个数量级。
- 陈春霞李浩然郑仁奎
- 关键词：固相反应法磁性能介电性能
- 一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法
- 本发明涉及一种低温烧结氧化钇陶瓷坩埚的方法，选用氧化镁粉体和氧化钛粉体作为烧结助剂，直接与氧化钇粉体混合后压制成坩埚素坯，再进行烧结致密化，得到致密的氧化钇陶瓷坩埚；优选地，所述烧结助剂的含量为10～25wt%。
- 刘岩李浩然刘学建黄政仁
- PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性（英文）被引量：4
- 2015年
- 有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用.
- 丁绪坤李效民高相东张树德黄宇迪李浩然
- 关键词：光电材料
