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张树德

作品数:12 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇光电
  • 2篇导体
  • 2篇碘化
  • 2篇碘化铅
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化铅
  • 2篇氧化锂
  • 2篇致密
  • 2篇探测器
  • 2篇凝胶
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇氢氧化锂
  • 2篇钛酸锂
  • 2篇壳聚糖
  • 2篇甲铵
  • 2篇交联
  • 2篇交联剂

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇李效民
  • 12篇张树德
  • 11篇高相东
  • 7篇黄宇迪
  • 1篇郑仁奎
  • 1篇李雪艳
  • 1篇郑明
  • 1篇李浩然
  • 1篇雷磊

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化硅-壳聚糖复合气凝胶及其制备方法
本发明涉及一种氧化硅-壳聚糖复合气凝胶及其制备方法,所述氧化硅-壳聚糖复合气凝胶包含壳聚糖、壳聚糖交联剂以及氧化硅,其中,壳聚糖质量分数为9%-65%,氧化硅质量分数为30%-90%,壳聚糖交联剂质量分数为1%~5%。
黄宇迪高相东顾正莹李效民张树德丁绪坤虎学梅
文献传递
一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法
本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法,所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅,优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域,本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、...
李效民丁绪坤高相东张树德
文献传递
热处理温度对ZnO基平面异质结型混合卤素钙钛矿太阳能电池膜层形貌的影响
近年来平面异质结型钙钛矿太阳能电池因其结构简单、可应用于柔性衬底等优点受到了科研工作者们的广泛重视,但目前大部分平面异质结型钙钛矿太阳能电池仍采用TiO7作为电子传输层,而ZnO作为一种n型透明半导体材料,拥有与TiO2...
张树德李效民高相东雷磊丁旭坤高潜潜
一种纳米钛酸锂的凝胶‑固相合成方法
本发明提供了一种纳米钛酸锂的凝胶‑固相合成方法,所述制备方法包括:采用凝胶法制备二氧化钛纳米气凝胶粉末;以及将二氧化钛纳米气凝胶粉末与氢氧化锂在醇溶液中均匀混合后干燥,在500‑700℃下热处理得到纳米钛酸锂。所得到的纳...
虎学梅高相东李效民顾正莹黄宇迪张树德丁旭坤
文献传递
氧化硅-壳聚糖复合气凝胶及其制备方法
本发明涉及一种氧化硅‑壳聚糖复合气凝胶及其制备方法,所述氧化硅‑壳聚糖复合气凝胶包含壳聚糖、壳聚糖交联剂以及氧化硅,其中,壳聚糖质量分数为9%‑65%,氧化硅质量分数为30%‑90%,壳聚糖交联剂质量分数为1%~5%。
黄宇迪高相东顾正莹李效民张树德丁绪坤虎学梅
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一种纳米钛酸锂的凝胶-固相合成方法
本发明提供了一种纳米钛酸锂的凝胶-固相合成方法,所述制备方法包括:采用凝胶法制备二氧化钛纳米气凝胶粉末;以及将二氧化钛纳米气凝胶粉末与氢氧化锂在醇溶液中均匀混合后干燥,在500-700℃下热处理得到纳米钛酸锂。所得到的纳...
虎学梅高相东李效民顾正莹黄宇迪张树德丁旭坤
一种镨掺杂的氧化锌纳米线及其制备方法
本发明涉及一种镨掺杂的氧化锌纳米线及其制备方法,所述氧化锌纳米线组成的化学式为Zn<Sub>1-x</Sub>Pr<Sub>x</Sub>O,0<x≦0.03,长度为1.0-1.2μm,直径为120-150nm。
郑明郑仁奎张树德李雪艳李效民
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一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法
本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法,所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅,优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域,本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、...
李效民丁绪坤高相东张树德
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一种带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列及其制备方法
本发明涉及一种带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列及其制备方法,所述带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列包括氧化锌纳米线阵列和均匀沉积于所述氧化锌纳米线阵列中的纳米线的表面的甲铵铅碘薄膜。本发明在氧化锌纳米线阵列中的纳米...
张树德李效民高相东丁旭坤黄宇迪
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PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文)被引量:4
2015年
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用.
丁绪坤李效民高相东张树德黄宇迪李浩然
关键词:光电材料
共2页<12>
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