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赵馨远

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：北京时代民芯科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单粒子
  • 2篇单粒子瞬态脉...
  • 2篇电路
  • 2篇冗余
  • 2篇瞬态
  • 2篇滤波器
  • 2篇滤波器电路
  • 2篇脉冲
  • 1篇延迟时间
  • 1篇脉冲产生
  • 1篇脉冲宽度
  • 1篇脉冲特性
  • 1篇脉宽
  • 1篇开销
  • 1篇寄生
  • 1篇反相器

机构

  • 2篇北京时代民芯...
  • 2篇中国航天北京...

作者

  • 3篇赵馨远
  • 1篇张晓晨
  • 1篇王亮
  • 1篇岳素格

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种抗单粒子瞬态冗余滤波器电路
本发明涉及一种抗单粒子瞬态冗余滤波器电路，由延迟单元、双输入反相器和冗余单元组成，其中延迟单元采用反相器链或电阻电容等结构，实现对输入信号的延迟；双输入反相器单元可根据输入两路信号的异同性做出相应输出；冗余单元有两种不同...
赵馨远王亮王丹岳素格孙永姝李东强
文献传递
一种抗单粒子瞬态冗余滤波器电路
本发明涉及一种抗单粒子瞬态冗余滤波器电路，由延迟单元、双输入反相器和冗余单元组成，其中延迟单元采用反相器链或电阻电容等结构，实现对输入信号的延迟；双输入反相器单元可根据输入两路信号的异同性做出相应输出；冗余单元有两种不同...
赵馨远王亮王丹岳素格孙永姝李东强
文献传递
晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究被引量：4
2014年
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.
赵馨远张晓晨王亮岳素格
关键词：单粒子瞬态脉冲
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