王亮
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究被引量：3
- 2017年
- 瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时间,并对试验结果进行了分析。高电源电压扰动恢复时间优于低电源电压扰动恢复时间,该发现对多电压集成电路瞬时剂量率效应的评估和加固具有指导意义。
- 李同德赵元富王亮郑宏超舒磊刘家齐于春青
- 一种单粒子翻转机制及其解决方法被引量：2
- 2012年
- 针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。
- 王亮岳素格孙永姝
- 关键词：单粒子翻转抗辐射加固超深亚微米集成电路
- 晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究被引量：4
- 2014年
- 通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.
- 赵馨远张晓晨王亮岳素格
- 关键词：单粒子瞬态脉冲
- 65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象被引量：3
- 2017年
- 基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因,即PMOS由于寄生双极效应,在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重,因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。
- 刘家齐赵元富王亮郑宏超舒磊李同德
- 两个低开销抗单粒子翻转锁存器被引量：3
- 2007年
- 提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成。提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真。仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗。和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度。
- 王亮赵元富岳素格
- 关键词：单粒子翻转SEU锁存器CMOS
