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孙川川

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇氢离子
  • 15篇离子
  • 14篇导体
  • 14篇半导体
  • 14篇半导体结构
  • 11篇过渡层
  • 11篇复合体
  • 8篇绝缘
  • 8篇绝缘体
  • 5篇晶片
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇氮化物半导体
  • 4篇氮化物半导体...
  • 4篇化物
  • 4篇半导体材料
  • 3篇氧化物
  • 3篇键合
  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化镓

机构

  • 16篇清华大学

作者

  • 16篇梁仁荣
  • 16篇王敬
  • 16篇许军
  • 16篇孙川川

年份

  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 8篇2017
  • 1篇2015
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘体上半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成磷化物过渡层和磷化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一...
王敬孙川川梁仁荣许军
半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合...
王敬孙川川梁仁荣许军
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绝缘体上半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一...
王敬孙川川梁仁荣许军
半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合...
王敬孙川川梁仁荣许军
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半导体结构以及制备方法
本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底...
王敬孙川川梁仁荣许军
半导体结构以及制备方法
本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底...
王敬孙川川梁仁荣许军
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绝缘体上半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成锑化物过渡层和锑化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一...
王敬孙川川梁仁荣许军
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半导体结构以及制备方法
本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合...
王敬孙川川梁仁荣许军
锗薄膜的减薄方法
本发明公开了一种锗薄膜的减薄方法，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的晶片进行清洗。本发明实施例的锗薄膜...
孙川川王敬梁仁荣许军
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半导体结构以及制备方法
本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底...
王敬孙川川梁仁荣许军
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