您的位置: 专家智库 > >

王敬

作品数:330 被引量:93H指数:6
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 264篇专利
  • 49篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 92篇电子电信
  • 11篇电气工程
  • 11篇一般工业技术
  • 8篇理学
  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇建筑科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 112篇半导体
  • 91篇晶体管
  • 87篇导体
  • 86篇沟道
  • 76篇半导体结构
  • 58篇场效应
  • 57篇场效应晶体管
  • 43篇衬底
  • 37篇电路
  • 37篇晶体
  • 35篇集成电路
  • 34篇迁移率
  • 33篇栅结构
  • 28篇离子
  • 27篇漏极
  • 24篇绝缘
  • 23篇单晶
  • 23篇氧化物
  • 21篇源区
  • 21篇迁移

机构

  • 288篇清华大学
  • 49篇北京有色金属...
  • 4篇河北工业大学
  • 3篇北京大学
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇河北工程大学
  • 1篇伯明翰大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇唐山供电公司

作者

  • 330篇王敬
  • 218篇许军
  • 203篇梁仁荣
  • 74篇郭磊
  • 37篇肖磊
  • 37篇赵梅
  • 31篇方华军
  • 23篇崔宁
  • 19篇赵晓
  • 19篇周旗钢
  • 19篇刘立滨
  • 18篇刘安生
  • 16篇孙川川
  • 15篇屠海令
  • 14篇王巍
  • 14篇邵贝羚
  • 11篇王子巍
  • 8篇刘志弘
  • 7篇钱佩信
  • 7篇肖清华

传媒

  • 18篇稀有金属
  • 9篇Journa...
  • 5篇微电子学
  • 4篇电子显微学报
  • 3篇’94秋季中...
  • 2篇矿业研究与开...
  • 2篇光散射学报
  • 2篇第十五届全国...
  • 2篇2004年中...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇金刚石与磨料...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2021
  • 9篇2020
  • 5篇2019
  • 19篇2018
  • 19篇2017
  • 28篇2016
  • 11篇2015
  • 48篇2014
  • 34篇2013
  • 38篇2012
  • 39篇2011
  • 13篇2010
  • 4篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 6篇2003
  • 1篇2002
330 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
载流子迁移率的提取方法
本发明提出一种载流子迁移率的提取方法,包括:测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性;根据栅源电压V<Sub>gs</Sub>的初始值和沟道横向电场E<Sub>x</Sub>的初始值获得载流子迁移率的计算值;根据载流子迁...
许军梁仁荣王敬
文献传递
具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,该隧穿晶体管包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底上的源区或漏区,其中,所述源区或漏区具有第一掺杂类型,所述半导体衬底上未形成所述源区或漏区的区域形成有绝缘层...
崔宁梁仁荣王敬许军
文献传递
Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究
1997年
采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区;在SOISi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬度,它可能是在分子束外延(MBE)方法生长GeSi层时所引入的位错环,Si细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成;
刘安生安生邵贝羚王敬付军栾洪发钱佩信
关键词:MOSFET微结构多层膜电子显微术
双栅无结型场效应晶体管的设计与优化被引量:1
2014年
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性。
李为民梁仁荣王敬
关键词:短沟道效应双栅
通过低温实现选择性的方法
本发明提出一种通过低温实现选择性的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成介质层;光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区;和采用化学气相淀积CVD在不通入HCl的低温条件下在所述...
王敬许军郭磊
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量:3
2005年
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
关键词:硅单晶微缺陷掺锑
采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器,包括由两个NMOS管和两个PMOS管组成的分流输入级,其将输入电压信号转换成电流信号,并形成正反双向小信号电流;由四个低压电流镜组成...
方华军赵晓梁仁荣王敬许军
文献传递
质子注入单晶硅中的结构演化
采用离子注入技术将大量的质子引入到单晶硅中,通过透射电子显微镜和光学显微镜的观察,在注入质子的硅片中,片状缺陷导致晶格的损伤,退火过程中,质子复合成氢分子并聚集,产生巨大的内压力,在表面产生气泡和裂坑;高温退火容易使氢逸...
肖清华王敬屠海令
关键词:离子注入单晶硅低温退火高温退火
文献传递
光调制的具有分离栅结构的场效应晶体管和集成电路
本发明公开了一种光调制的具有分离栅结构的场效应晶体管和集成电路,其中该场效应晶体管包括:半导体层;源区和漏区,源区设置在半导体层之中或半导体层之上,漏区设置在半导体层之中或半导体层之上;形成在所述半导体层之上的双栅结构;...
王敬陈文捷梁仁荣
文献传递
异质栅隧穿晶体管的形成方法
本发明提出一种后栅工艺的异质栅隧穿晶体管的结构及其形成方法,包括:衬底;形成在衬底之中的沟道区,沟道区两侧的源区和漏区,所述漏区和源区的掺杂类型相反;还包括形成在沟道区之上的栅堆叠,包括栅介质层,在栅介质层之上的第一栅电...
梁仁荣刘立滨王敬许军
文献传递
共33页<12345678910>
聚类工具0