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高云斌

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇碳化硅
  • 7篇外延层
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电阻
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇沟道
  • 3篇离子注入
  • 3篇保护膜
  • 2篇导通压降
  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇旋涂
  • 2篇载流子输运
  • 2篇碳化硅肖特基...
  • 2篇退火
  • 2篇退火过程
  • 2篇外延片

机构

  • 16篇株洲南车时代...

作者

  • 16篇高云斌
  • 16篇李诚瞻
  • 13篇赵艳黎
  • 11篇史晶晶
  • 9篇周正东
  • 8篇丁荣军
  • 8篇刘国友
  • 7篇刘可安
  • 7篇吴佳
  • 4篇蒋华平
  • 3篇陈喜明
  • 2篇颜骥
  • 1篇邵云

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 10篇2015
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P<Sup>－</Sup>外延层，由于外延层之后的P<Sup>－</Sup>外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中...
赵艳黎刘可安李诚瞻高云斌蒋华平吴佳丁荣军
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MOS电容以及其制造方法
本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO<Sub>2</Sub>层。根据本方法制造的...
陈喜明李诚瞻颜骥赵艳黎高云斌史晶晶刘国友
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一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所...
李诚瞻高云斌史晶晶周正东吴煜东丁荣军
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一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N<Sup>+</Sup>源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优...
高云斌李诚瞻刘国友吴煜东史晶晶赵艳黎
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碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法
本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO<Sub>2</Sub>），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩...
李诚瞻刘可安吴煜东周正东史晶晶高云斌
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一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用
本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法
本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法...
史晶晶李诚瞻吴煜东周正东赵艳黎高云斌吴佳杨勇雄丁荣军
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一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P<Sup>－</Sup>外延层，载流子输运在P<Sup>－</Sup>外延层反型沟...
赵艳黎刘国友李诚瞻高云斌蒋华平周正东丁荣军
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一种碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P<Sup>－</Sup>外延层，由于外延层之后的P<Sup>－</Sup>外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载...
赵艳黎刘可安李诚瞻高云斌蒋华平吴佳丁荣军
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