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周正东

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 10篇碳化硅
  • 5篇退火
  • 4篇外延层
  • 4篇SBD
  • 3篇碳化硅器件
  • 3篇碳膜
  • 3篇离子注入
  • 3篇硅器件
  • 3篇保护膜
  • 3篇表面形貌
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇导通压降
  • 2篇低阻
  • 2篇电流
  • 2篇电阻
  • 2篇旋涂
  • 2篇碳化硅肖特基...
  • 2篇退火过程
  • 2篇欧姆接触

机构

  • 16篇株洲南车时代...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 16篇周正东
  • 16篇李诚瞻
  • 14篇史晶晶
  • 11篇吴佳
  • 10篇刘可安
  • 9篇赵艳黎
  • 9篇高云斌
  • 8篇刘国友
  • 6篇丁荣军
  • 3篇蒋华平
  • 2篇杨程
  • 1篇申华军

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法
本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化...
周正东李诚瞻刘可安刘国友史晶晶吴佳杨程
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一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl...
李诚瞻刘可安赵艳黎周正东吴佳杨勇雄丁荣军
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一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所...
李诚瞻高云斌史晶晶周正东吴煜东丁荣军
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一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法
一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之...
李诚瞻吴煜东刘可安周正东史晶晶杨勇雄吴佳蒋华平赵艳黎
一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用
本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法
本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO<Sub>2</Sub>），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩...
李诚瞻刘可安吴煜东周正东史晶晶高云斌
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一种半导体结构的掺杂方法
本申请提供了一种半导体结构的掺杂方法，包括：对半导体结构分别进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入；对离子注入后的半导体结构进行退火；其中，所述退火过程包括：升温至第一激活温度，在所述第一激活温度保持第一预设时间；从所述...
周正东李诚瞻史晶晶刘国友吴佳丁荣军
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一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法
本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法...
史晶晶李诚瞻吴煜东周正东赵艳黎高云斌吴佳杨勇雄丁荣军
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一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P<Sup>－</Sup>外延层，载流子输运在P<Sup>－</Sup>外延层反型沟...
赵艳黎刘国友李诚瞻高云斌蒋华平周正东丁荣军
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共2页<12>
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