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周永亮

作品数：71 被引量：2H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 26篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 42篇电路
  • 19篇芯片
  • 15篇灵敏放大器
  • 13篇运算电路
  • 12篇集成电路
  • 12篇存储器
  • 11篇反相器
  • 10篇SRAM
  • 9篇电压
  • 9篇功耗
  • 9篇放电单元
  • 8篇电路技术
  • 8篇信号
  • 8篇集成电路技术
  • 8篇存储阵列
  • 7篇源极
  • 7篇SRAM单元
  • 7篇乘法
  • 6篇读写
  • 6篇随机存储器

机构

  • 71篇安徽大学

作者

  • 71篇周永亮
  • 61篇彭春雨
  • 50篇吴秀龙
  • 41篇卢文娟
  • 36篇蔺智挺
  • 31篇李鑫
  • 22篇赵强
  • 18篇刘玉
  • 15篇胡薇
  • 13篇李正平
  • 12篇杨震
  • 12篇杨盼
  • 11篇陈军宁
  • 11篇谭守标
  • 4篇李响
  • 4篇吴凯
  • 4篇谢明明
  • 3篇高珊
  • 3篇丁鹏
  • 2篇王鑫

年份

  • 14篇2025
  • 18篇2024
  • 22篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2015
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储电路及磁芯随机存储器读关键电路
本发明涉及一种存储电路及磁芯随机存储器读关键电路。该存储电路包括存储模块和正反馈模块。存储模块由多个存储单元构成N×M的阵列形式。N、M分别代表行数和列数。正反馈模块由M个相同的正反馈单元构成。每行存储单元共享字线WL。...
周永亮周子璇刘立彭春雨蔺智挺吴秀龙
一种电流域8TSRAM单元及动态自适应量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1～P2，6个NMOS管N1～N6构成；其中，P1、P2、N1～N4构成经典的具有两个...
蔺智挺柳云龙李劲铮袁子凡吴秀龙彭春雨戴成虎赵强卢文娟胡薇郝礼才周永亮李鑫
时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰韦一鸣林枭
一种应用于低电压SRAM的自适应灵敏放大器电路、模组
本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及一种应用于低电压SRAM的自适应灵敏放大器电路，以及采用该种电路布局的灵敏放大器模组。本发明通过切换开关模块对位线BL/BLB与灵敏放大模块两输入端的连接关系进行调整，实现二者的...
周永亮武赛赛施琦杨震韦一鸣周子璇刘立彭春雨吴秀龙
一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路
本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路，该电路包括：四个PMOS管P1～P4和八个NMOS管N1～N8；其中，NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1，该反相器A1输入端接字线...
李正平闫锦龙卢文娟陶有武彭春雨谭守标陈军宁周永亮
文献传递
基于8T-SRAM和电流镜的存内计算电路
本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于8T‑SRAM和电流镜的存内计算电路。本发明包括存储部、存内计算部、传输控制部、电流镜部、反相器部、关断控制部。本发明一方面将1bit权重存储在8T‑SRAM单元内，另一方面...
彭春雨李嘉祥关立军闫声远王雅娜卢文娟赵强李鑫吴秀龙周永亮
基于14T-TFET-SRAM单元电路的带符号乘法与乘累加运算电路
本申请涉及一种基于14T‑TFET‑SRAM单元电路的带符号乘法与乘累加运算电路，单元电路包括NTFET管N0‑N6以及PTFET管P0‑P6；P0的源极、漏极和栅极分别与P4的漏极、N0的漏极和栅极电连接，P0的漏极设...
蔺智挺文泽世吴秀龙戴成虎胡薇彭春雨赵强卢文娟李鑫刘玉周永亮
一种基于UVM的可重用的寄存器性能交互验证系统及其应用
本发明设计集成电路设计领域，具体涉及一种基于UVM的可重用的寄存器性能交互验证系统及其应用。该验证系统应用于一个包含主机和从机的验证设备中。验证系统采用system verilog语言编写，并基于UVM库创建，运行于验证...
蔺智挺陈琳吴秀龙彭春雨赵强戴成虎卢文娟周永亮李鑫郝礼才刘玉
一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路。nvSRAM单元包括PMOS管P1~P4，NMOS管N1~N5，以及磁隧穿结MTJ1和MTJ2，其中，P1、P2、N1...
周永亮韦一鸣杨震周子璇彭春雨戴成虎郝礼才李鑫蔺智挺吴秀龙
一种输入稀疏性自适应ADC电路及模块
本发明涉及模拟数字转换电路设计技术领域，具体涉及一种输入稀疏性自适应ADC电路及模块。本发明公开了一种输入稀疏性自适应ADC电路，包括：稀疏性检测电路部、稀疏性控制电路部、时序产生电路部、SAR‑ADC主电路部。本发明增...
李鑫陈家琦王园阳潘震邢欣苗梦迪吕怡文周永亮戴成虎李志刚蔺智挺吴秀龙
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