2024年8月28日
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王俊
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42
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供职机构:
中国电子科技集团公司第三十八研究所
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发文基金:
国际科技合作与交流专项项目
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
郭进
中国电子科技集团公司第三十八研...
王国胜
中国电子科技集团公司第三十八研...
谢峰
中国电子科技集团公司第三十八研...
宋曼
中国电子科技集团公司第三十八研...
吴浩然
中国电子科技集团公司第三十八研...
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作者
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王俊
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郭进
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低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法
本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法,包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极;所述缓冲层设置在所述衬底顶端,所述缓冲层顶端设置所述吸收层,所述吸收层顶端设置所述覆盖层,所述覆盖层顶端设有所述...
王国胜
谢峰
王润
王俊
郭进
文献传递
一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED
本发明公开了一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED,包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层,所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻...
王俊
李由
胡洋
储政勇
谢峰
文献传递
基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器
本发明基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择,同时采用先进的...
王俊
郭进
王国胜
吴浩然
王唐林
宋曼
易媛媛
谢峰
一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器
本发明属于半导体光电子器件技术领域,具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器,包括衬底,缓冲层,N型欧姆接触层,N型欧姆接触电极,吸收层,二维δ掺杂层,P型欧姆接触层,P型欧姆接触电极;其中,所述二维δ掺杂层为高...
王俊
郭进
王国胜
金里
文献传递
一种带紫外火焰监测的燃气热水器
本发明公开了一种带紫外火焰监测的燃气热水器,包括燃烧腔和设置于燃烧腔之外的硬件电路板;所述硬件电路板包括依次串联的信号采集电路、跨阻放大电路、限幅放大电路、微处理器;所述信号采集电路包括GaN紫外探测器。本发明采用了Ga...
宋曼
郭进
谢峰
万静龙
王俊
王唐林
吴浩然
陆学军
王国胜
王逸群
具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构
本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构,属于半导体光电子器件技术领域,包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层,所述GaN缓冲层、未掺杂Ga...
王俊
郭进
冯俊波
肖志雄
文献传递
一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构
本发明公开了一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构,属于半导体光电子器件技术领域,包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层,所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型...
王俊
郭进
冯俊波
文献传递
一种新型GaN基PIN结构紫外探测器
本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器,属于半导体光电子器件技术领域,该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层,缓冲层外延在衬底上,N...
王俊
谢峰
郭进
王皖君
王国胜
周杰
激光雷达测量误差的分析与修正——以电科38所出品的激光雷达为例
2021年
激光雷达可以快速地获取大量高精度点云数据,在自动驾驶等诸多领域有着广泛的应用前景。但在实际使用中,由于温度、湿度、能见度等环境因素的变化不可避免地导致测量结果的异常波动,需要对测量数据进行误差修正。详细阐述了激光雷达的原理,并以电科38所出品的中距离激光雷达测量数据为例,以最小二乘拟合的方式,对其三维测量数据进行误差分析与修正,将测量精度由厘米级提升至毫米级。该方法对于扩展激光雷达的应用领域提供了新的思路。
储政勇
王俊
关键词:
激光雷达
误差分析
最小二乘拟合
一种双异质结紫外探测器
本发明公开了一种双异质结紫外探测器,所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷,下表面形成负的极化电荷;在极化电荷的作用下,所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG,GaN吸收层与...
王俊
郭进
余第喜
金里
赵恒
程国云
王国胜
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