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王晓雯

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：沈阳仪器仪表工艺研究所更多>>
相关领域：电气工程机械工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇霍尔元件
  • 2篇低功耗
  • 2篇电极
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电阻
  • 2篇迁移率
  • 2篇敏感膜
  • 2篇功耗
  • 2篇磁敏
  • 2篇磁敏电阻
  • 1篇氮气保护
  • 1篇镀层
  • 1篇镀层结构
  • 1篇仪表
  • 1篇应力
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇智能流量积算...
  • 1篇智能仪表
  • 1篇生产技术
  • 1篇锑化铟

机构

  • 9篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 9篇王晓雯
  • 7篇于成民
  • 7篇刘佩瑶
  • 7篇孙仁涛
  • 5篇冯桂华
  • 4篇孔海霞
  • 4篇关杰
  • 3篇李鸿儒
  • 2篇吴东阁
  • 2篇李绍恒
  • 2篇王晶
  • 1篇张洪魁
  • 1篇王赣
  • 1篇马松林

传媒

  • 3篇仪表技术与传...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
低功耗磁敏电阻的研制及其应用
低功耗强磁体磁阻器件研制的主要技术难点:铁磁性薄膜的蒸镀工艺技术、结晶化处理技术、薄膜刻蚀技术、元件表面钝化技术、批量生产工艺技术。低功耗强磁体磁阻器件的主要特点:适用于测量磁场方向的变化;具有倍频输出特性,对在速度控制...
孙仁涛吴东阁孔海霞王晓雯李绍恒刘佩瑶李鸿儒
文献传递
锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法
一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺制得，这种电极的电极焊点对敏感膜无损伤，焊点牢固度好...
于成民孙仁涛冯桂华刘佩瑶王晓雯关杰孔海霞
文献传递
高性能InSb霍尔元件及中试生产技术
于成民孙仁涛刘佩瑶冯桂华王晓雯
1.所属科技领域属于仪器、仪表科学技术领域的传感器项目。高性能锑化铟霍尔元件是用化合物半导体锑化铟材料，根据霍尔效应原理，通过半导体工艺制成的一种高灵敏度磁敏传感元件。主要用于无刷电机和各种磁敏传感器的制造中。国际市场年...
关键词：
关键词：霍尔元件中试生产
锑化铟薄膜的制造方法
一种锑化铟薄膜的制造方法首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb+Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In...
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
文献传递
智能流量积算仪被引量：1
1998年
介绍了一种高精度、高可靠的流量积算仪，提出了几种提高精度，增强可靠性的办法，解决了流量积算仪设计中精度不高、可靠性差的问题。
王赣李鸿儒马松林郑强王晓雯张军于成民张洪魁
关键词：流量积算仪流量计智能仪表
低功耗磁敏电阻的研制及其应用被引量：1
2001年
介绍了用铁磁性薄膜制作的低功耗强磁体磁敏电阻的工作原理、制作方法及其典型应用。该元件具有输出灵敏度高、功耗低的特点 ,对弱磁场检测和在用电池供电的场合下应用 ,具有特殊的优势。
孙仁涛王晓雯吴东阁孔海霞李绍恒李鸿儒
关键词：强磁体磁敏电阻磁传感器
InSt霍尔元件的电极
一种InSb霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极在键合时对敏感膜无损伤，另外，电极与基底接触，温度应力小。
于成民孙仁涛冯桂华刘佩瑶王晓雯关杰孔海霞
文献传递
InSb薄膜制备工艺技术研究被引量：2
1996年
本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.
刘佩瑶于成民王晓雯
锑化铟薄膜的镀层结构
一种锑化铟薄膜的镀层结构是在具有隔离层的基底上，从内至外依次镀In层、InSb+Sb层和In层，具有这种镀层结构的薄膜经结晶化转化后可以制出高电子迁移率的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用性。
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
文献传递
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