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刘佩瑶

作品数：10 被引量：5H指数：2
供职机构：沈阳仪器仪表工艺研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇霍尔元件
  • 3篇INSB
  • 2篇电极
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇敏感膜
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁敏
  • 1篇氮气保护
  • 1篇低功耗
  • 1篇电流
  • 1篇电流传感器
  • 1篇电阻
  • 1篇镀层
  • 1篇镀层结构
  • 1篇应力
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇生产工艺

机构

  • 10篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 10篇刘佩瑶
  • 9篇于成民
  • 8篇孙仁涛
  • 7篇王晓雯
  • 6篇冯桂华
  • 5篇关杰
  • 4篇孔海霞
  • 2篇王晶
  • 1篇吴东阁
  • 1篇李绍恒
  • 1篇李鸿儒

传媒

  • 3篇仪表技术与传...
  • 1篇第四届全国敏...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高性能InSb霍尔元件及中试生产技术
于成民孙仁涛刘佩瑶冯桂华王晓雯
1.所属科技领域属于仪器、仪表科学技术领域的传感器项目。高性能锑化铟霍尔元件是用化合物半导体锑化铟材料，根据霍尔效应原理，通过半导体工艺制成的一种高灵敏度磁敏传感元件。主要用于无刷电机和各种磁敏传感器的制造中。国际市场年...
关键词：
关键词：霍尔元件中试生产
高灵敏度霍尔元件用ＩｎＳｂ薄膜制备工艺
于成民刘佩瑶
关键词：生产工艺
锑化铟薄膜的制造方法
一种锑化铟薄膜的制造方法首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb+Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In...
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
文献传递
低功耗磁敏电阻的研制及其应用
低功耗强磁体磁阻器件研制的主要技术难点:铁磁性薄膜的蒸镀工艺技术、结晶化处理技术、薄膜刻蚀技术、元件表面钝化技术、批量生产工艺技术。低功耗强磁体磁阻器件的主要特点:适用于测量磁场方向的变化;具有倍频输出特性,对在速度控制...
孙仁涛吴东阁孔海霞王晓雯李绍恒刘佩瑶李鸿儒
文献传递
锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法
一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺制得，这种电极的电极焊点对敏感膜无损伤，焊点牢固度好...
于成民孙仁涛冯桂华刘佩瑶王晓雯关杰孔海霞
文献传递
双霍尔元件磁敏电流传感器的研究被引量：2
1992年
采用双元件双气隙的方法制做的电流传感器大幅度降低了传感器的非线性度和位置误差,提高了传感器的抗干扰能力与量程范围。本文还建立了双元件电流传感器输出霍尔电压的理论计算模型。
于成民曾永宁孙仁涛冯桂华刘佩瑶关杰
关键词：电流传感器
InSb 薄膜磨抛工艺技术的研究被引量：1
1998年
】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中，用机械磨抛的方法，探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题，从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。
孔海霞于成民孙仁涛刘佩瑶
关键词：INSB薄膜补偿技术传感器
InSb薄膜制备工艺技术研究被引量：2
1996年
本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.
刘佩瑶于成民王晓雯
锑化铟薄膜的镀层结构
一种锑化铟薄膜的镀层结构是在具有隔离层的基底上，从内至外依次镀In层、InSb+Sb层和In层，具有这种镀层结构的薄膜经结晶化转化后可以制出高电子迁移率的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用性。
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
文献传递
InSt霍尔元件的电极
一种InSb霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极在键合时对敏感膜无损伤，另外，电极与基底接触，温度应力小。
于成民孙仁涛冯桂华刘佩瑶王晓雯关杰孔海霞
文献传递
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