韩芬
- 作品数：19 被引量：17H指数：3
- 供职机构：西安交通大学城市学院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计被引量：2
- 2022年
- 碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。
- 韩芬张艳肖石浩
- 关键词：PSPICE仿真开关特性
- SiC MOSFET在Boost电路中的应用被引量：6
- 2021年
- 第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率,减小重量和体积,降低制造成本。利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路。实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路效率高。
- 韩芬张艳肖石浩
- 关键词：静态特性动态特性
- 基于遗传算法的PFC变换器优化设计方法
- 2014年
- 在传统的功率因数校正变换器的设计过程中,PFC变换器设计方法主要以误差控制技术为主。人们习惯采用小信号模型对系统进行优化,这种小信号模型的方法设计过程简单但动态过程效果差。为了提高系统的动态性能。本文提出了在Matlab中利用遗传算法来优化系统变控制器的参数,这种方法的优点在于对大量个体自动进行评价,可以优化特定或者变化的参数。仿真结果证实了遗传算法优化控制器参数的合理性与正确性。
- 韩芬何书军
- 关键词：功率因数校正平均电流控制遗传算法优化设计
- 一种电力电子变压器风道结构
- 本实用新型涉及电力电子变压器技术领域，公开了一种电力电子变压器风道结构，包括变压器主体、套接在所述变压器主体外表面的外箱和安装在所述变压器主体两侧面的滤网，所述外箱的上表面安装有散热装置，所述滤网的外表面安装有固定装置，...
- 韩芬
- 电气自动化工程控制系统的现状及其发展方向被引量：6
- 2016年
- 电气自动化控制系统的研究在我国的经济发展中占据着越来越重要的地位。本文主要介绍了电气自动化工程控制系统的相关概念、电气自动化工程控制系统的发展概况,并进一步阐述了电气自动化工程控制系统未来的发展方向。
- 韩芬
- 关键词：电气自动化
- 一种电力电子变压器的风机散热装置
- 本实用新型涉及电力电子变压器散热技术领域，公开了一种电力电子变压器的风机散热装置，包括壳体和固接在所述壳体四个拐角处的耳板，所述壳体的上表面固接有控制器，且所述壳体的两侧均开设有散热窗，所述壳体的前表面上开设有安装槽，所...
- 韩芬
- 一种电气控制板测试架
- 本发明公开了一种电气控制板测试架，涉及电气控制板测试技术领域。该电气控制板测试架，包括底座、装夹机构、扣压机构、支撑机构和翻转机构，底座的顶部固定安装有第一立板，底座的正上方设置有翻转架，翻转机构设置于底座的顶部，翻转机...
- 申淼韩芬王娟张永超
- SiC MOSFET特性分析及应用被引量：1
- 2022年
- 碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。
- 韩芬张艳肖石浩
- 关键词：驱动电路开关特性
- 一种利用WIFI网络进行无线覆盖语音业务补盲的方法与系统
- 一种利用WIFI网络进行无线覆盖语音业务补盲的方法，在手机端实时检测运营商及WIFI信号强度，当运营商信号强度低于预设值且WIFI信号强度高于预设值时，将手机端IP+IMSI+ESN上报服务器；服务器模拟自己是该手机端所...
- 李波波李守智张艳肖徐微曹小鸽王娟韩芬
- SiC MOSFET在Buck变换器中的应用被引量：4
- 2022年
- 第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性,以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路,测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压,以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。
- 韩芬张艳肖
- 关键词：开关特性开关损耗
