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张韵

作品数：98 被引量：25H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市科委重大项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 85篇专利
  • 7篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 30篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 18篇二极管
  • 18篇发光
  • 18篇衬底
  • 14篇发光二极管
  • 13篇氮化
  • 12篇金属
  • 12篇半导体
  • 11篇氮化物
  • 11篇谐振器
  • 10篇晶体管
  • 10篇刻蚀
  • 9篇单晶
  • 9篇势垒
  • 9篇紫外发光二极...
  • 9篇化物
  • 9篇激光
  • 8篇氮化镓
  • 8篇势垒层
  • 8篇光刻
  • 7篇杀菌消毒

机构

  • 98篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国电子信息...
  • 1篇北京半导体照...

作者

  • 98篇张韵
  • 48篇王军喜
  • 45篇李晋闽
  • 39篇张连
  • 32篇孙莉莉
  • 30篇程哲
  • 28篇闫建昌
  • 11篇刘喆
  • 11篇杨帅
  • 8篇谢海忠
  • 6篇魏学成
  • 5篇贾利芳
  • 5篇郭亚楠
  • 4篇宋昌斌
  • 4篇董鹏
  • 4篇田迎冬
  • 3篇杨杰
  • 3篇魏同波
  • 3篇陈翔
  • 2篇纪攀峰

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 6篇2024
  • 8篇2023
  • 4篇2022
  • 9篇2021
  • 7篇2020
  • 10篇2019
  • 13篇2018
  • 17篇2017
  • 6篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
共 98 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上...
程哲张韵张连
兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极...
艾玉杰杨帅张韵孙莉莉程哲张连贾丽芳王军喜李晋闽
文献传递
HEMT器件及其制作方法
一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域...
张连张韵程哲
增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件
一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图...
黄宇亮程哲张连张韵王军喜李晋闽
文献传递
一种具有紫外杀菌消毒功能的水表
本发明提出了一种具有紫外杀菌消毒功能的水表，包括计量装置、感应装置和发光装置，其中，通过在计量装置中水表本体上设置一个透明窗口，正对该透明窗口固定一个发光装置的紫外光源，紫外光源能够产生紫外光线并透过透明窗口对流经水表本...
闫建昌谢海忠王军喜魏学成孙莉莉张韵李晋闽
文献传递
金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器
本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波...
孙莉莉张韵程哲张连王军喜李晋闽
降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法
本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p...
张连张韵王军喜李晋闽
文献传递
异质结双极型晶体管及其制作方法
本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区...
张韵王欣远张连高幸发
用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及方法
本发明公开了一种用于半桥模块寄生电感校准测试的测试装置及提高测试精度的方法，包括测试基板，设置在测试基板(1)上的以下接入口：开路校准接入口(201)与(202)及第一区域中的供电端子接入口(203)～(208)、短路校...
张韵王琳程哲林德峰
文献传递
具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）被引量：2
2018年
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)实现40 nm的栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V。在栅压时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT饱和电流为0.71 A,特征导通电阻为5.73 m?·cm^2。在栅压时,器件的击穿电压为400 V,关断漏电流为320μA。器件的开启与关断电流比超过了109。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电流为1.8 n A。高的开启与关断电流比和低的栅漏电流反映了界面具有很好的质量。
赵勇兵程哲程哲张韵伊晓燕王国宏
关键词：ALGAN/GAN
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