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代波

作品数：66 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 33篇场板
  • 27篇淀积
  • 27篇ALGAN/...
  • 23篇击穿电压
  • 19篇高压器件
  • 19篇本征
  • 19篇ALGAN/...
  • 16篇耗尽型
  • 14篇槽栅
  • 13篇化物
  • 13篇硅化物
  • 12篇导通
  • 12篇导通电阻
  • 12篇电极
  • 12篇电阻
  • 10篇势垒
  • 9篇钝化层
  • 8篇栅电极
  • 8篇绝缘栅
  • 7篇增强型

机构

  • 66篇西安电子科技...

作者

  • 66篇代波
  • 65篇冯倩
  • 65篇郝跃
  • 60篇杜锴
  • 34篇马晓华
  • 34篇郑雪峰
  • 32篇张春福
  • 20篇董良
  • 6篇杜鸣
  • 6篇张进城
  • 6篇陆小力
  • 5篇李付国
  • 5篇谢文林
  • 5篇徐通
  • 4篇张进成

年份

  • 1篇2018
  • 13篇2017
  • 16篇2016
  • 6篇2015
  • 30篇2014
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...
冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃
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加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法
本发明公开了一种加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...
冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃
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加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化...
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一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设...
冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃
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加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂...
冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃
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加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法
本发明公开了一种加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维...
冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃
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基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法
本发明公开了一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复...
冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃
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基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法
本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上依次有：源极、栅极...
冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃
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基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法
本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔依次设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合...
冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃
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一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层...
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