郑期彤
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用
- 2003年
- 工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法。文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MO-SPAD软件系统。在工艺综合系统中,使用响应表面法可加速综合的速度。
- 鲁勇张文俊郑期彤李成杨之廉
- 关键词：MOSFET双极器件半导体
- 考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
- 2004年
- 在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .
- 郑期彤张大伟江波田立林余志平
- 关键词：DGMOSFET
- 工艺综合与响应表面法的应用被引量：1
- 2002年
- 工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.MOSPAD软件系统是基于工艺综合的思想开发的工艺与器件辅助设计工具.本文通过使用MOSPAD系统,对工艺改进中的实际问题采用工艺综合的方法,确定正确的工艺条件.在工艺综合系统中使用响应表面法加快其综合的速度,并利用响应表面模型以分析工艺窗口造成的灵敏度问题.
- 鲁勇张文俊郑期彤李成杨之廉
- 关键词：RSM集成电路
