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作者

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  • 2篇刘爱华
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年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2003
  • 8篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体器件与工艺综合被引量:1
2002年
利用器件与工艺综合的思想 ,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法 ,实现了该设计方法的MOSPAD软件 ,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果 .做出了关于器件与工艺综合的两个实例 ,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合 ,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性 .
鲁勇谢晓峰张文俊杨之廉
关键词:半导体FIB
半导体器件工艺综合方法学的研究与实现
该论文工作旨在研究器件和工艺设计领域中的一种新的设计方法学,即工艺综合方法学(Process SynthesisMethodology),并以对该方法学的研究和发展为基础,开发了一套工艺综合软件.论文中主要完成的工作包括...
鲁勇
关键词:计算机辅助设计TCADFLASH
半导体器件与工艺综合的研究
综合技术作为一项重要的研究方法,不仅在电路设计中获得广泛应用,现在应用在器件和工艺的研究上.利用器件与工艺综合的思想,可以开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法.为了实现这种设计方法,我们开发了MOSPAD软件,并利用M...
鲁勇谢晓峰张文俊杨之廉
关键词:半导体器件设计方法
文献传递
离子注入间接诱导的高驰豫锗硅
应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底...
许向东郭福隆周卫张兆健鲁勇张伟刘志弘钱佩信
关键词:超高真空化学气相沉积离子注入
文献传递
半导体器件建模与优化系统被引量:2
2003年
随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合 ,以得到所需要的器件 .通过一些实例对部分功能进行了说明 ,并和一些已有的系统进行了比较 .
谢晓锋鲁勇李钊阮骏姚依张文俊杨之廉
关键词:半导体器件遗传算法微粒群优化
一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文)
2002年
提出一种采用带 带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构 ,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景 .该结构采用带 带隧穿热电子注入 (BBHE)进行“写”编程 ,采用源极Fowler Nordheim隧穿机制进行擦除 .研究显示控制栅编程电压为 8V ,漏极漏电流只有 3μA/ μm左右 ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 16 μs,0 8μm存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm .该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点 .
潘立阳朱钧刘志宏曾莹鲁勇
响应表面法在工艺综合中的应用被引量:5
2002年
通过实例 ,介绍多分区响应表面法的优点及其给工艺综合带来的好处 ,并用其构建的响应表面模型分析工艺窗口带来的影响 .
鲁勇张文俊杨之廉
关键词:半导体集成电路
聚焦离子束器件的优化设计与工艺优化的研究
该论文通过对优化算法与工艺模型、器件模型的研究,针对聚焦离子束(FIB)器件进行优化设计.根据FIB器件的特点,分析了聚焦离子束注入位置及注入能量和剂量对器件性能的影响,采用优化方法,自动完成优化设计.论文工作还根据工艺...
鲁勇
关键词:优化算法遗传算法
工艺综合与响应表面法的应用被引量:1
2002年
工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.MOSPAD软件系统是基于工艺综合的思想开发的工艺与器件辅助设计工具.本文通过使用MOSPAD系统,对工艺改进中的实际问题采用工艺综合的方法,确定正确的工艺条件.在工艺综合系统中使用响应表面法加快其综合的速度,并利用响应表面模型以分析工艺窗口造成的灵敏度问题.
鲁勇张文俊郑期彤李成杨之廉
关键词:RSM集成电路
利用Nikon光刻机进行膜应力评价
2002年
MEMS器件制作过程中 ,结构薄膜的应力和膜内的应力梯度必须进行严格的控制 ,因而对于LPCVD工艺有特殊的要求。应力测量一般要借助专门仪器进行 ,在不具备测量设备的情况下 ,可以利用光刻机来进行膜应力评价。结合NikonStepper聚焦系统的技术特点 ,说明了膜应力评价的原理和具体做法 ,对光刻机应力测量的优劣进行了讨论 。
严利人曹秉军鲁勇
关键词:NIKON光刻机应力集成电路
共2页<12>
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