您的位置: 专家智库 > >

苏宏波

作品数:5 被引量:25H指数:3
供职机构:南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
发文基金:电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇ZNO薄膜
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 3篇ZNO
  • 3篇MOCVD
  • 2篇衍射
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇SI(111...
  • 2篇X射线双晶衍...
  • 2篇MOCVD方...
  • 1篇射线衍射
  • 1篇生长温度
  • 1篇金属
  • 1篇金属有机
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光谱
  • 1篇光学

机构

  • 5篇南昌大学

作者

  • 5篇苏宏波
  • 4篇江风益
  • 4篇王立
  • 4篇蒲勇
  • 3篇方文卿
  • 3篇戴江南
  • 1篇郑畅达
  • 1篇李冬梅
  • 1篇李璠
  • 1篇方芳

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 5篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究被引量:6
2006年
采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果显示,ZnO倾斜对称面(10-12)的ω扫描半峰全宽为350″,表明ZnO薄膜结晶性能良好;低温10 K光致发光谱结果表明,N2O为氧源生长的ZnO膜和H2O为氧源生长的ZnO膜的发光特性明显不同,没有观察到与氢有关的中性施主束缚激子对应的3.331 eV双电子卫星峰(TES)。这一结果表明,用N2O为氧源生长的ZnO薄膜中不易引进氢杂质。
苏宏波戴江南王立蒲勇方文卿江风益
关键词:薄膜光学光致发光ZNON2O
生长温度对ZnO薄膜性能的影响被引量:15
2006年
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大.
苏宏波戴江南蒲勇王立李方文卿江风益
关键词:ZNOMOCVDX射线双晶衍射光致发光
常压MOCVD生长ZnO薄膜的结构和光学性能研究
ZnO是继Ⅲ-Ⅴ族GaN之后制作短波长发光器件的候选材料。目前p-i-n结ZnO-LED已初步实现,但是离实际应用还存在一定的距离。究其原因是晶体质量还有待进一步提高。影响晶体质量的因素很多,如生长工艺、源材料的选择等。...
苏宏波
关键词:ZNOMOCVDX射线双晶衍射光致发光谱
文献传递
MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜被引量:4
2006年
用常压金属有机化学气相外延方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜,研究了ZnO低温缓冲层的厚度(50h,300h)对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜,X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明:缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h~100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜,晶粒尺寸大小均匀,发光和结晶性能良好。
方芳王立方文卿蒲勇郑畅达苏宏波江风益
关键词:MOCVDNIX射线衍射
MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究被引量:3
2006年
本文采用常压MOCVD方法在Ti/S i(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源。S i衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。
李冬梅李璠苏宏波王立戴江南蒲勇方文卿江风益
关键词:SI衬底金属有机化学气相沉积
共1页<1>
聚类工具0