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齐志平

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇特性分析
  • 1篇阻抗
  • 1篇温下
  • 1篇功率MOSF...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇胡高宏
  • 1篇丘明
  • 1篇冯之钺
  • 1篇张玉林
  • 1篇齐志平

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低温下功率MOSFET的特性分析被引量：3
2005年
文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。
胡高宏张玉林丘明齐志平冯之钺
关键词：功率MOSFET
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