张玉林
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 低温下功率MOSFET的特性分析被引量：3
- 2005年
- 文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。
- 胡高宏张玉林丘明齐志平冯之钺
- 关键词：功率MOSFET
- 低温电力电子器件、电路及系统
- 2006年
- 低温工程与电力电子学的交叉产生低温电力电子学这一新兴边缘学科。实验表明,低温环境是半导体材料的理想工作环境。在低温环境下,其相关属性,如载流子迁移率、热导率和电阻率等特性都有明显改善,这使得电力电子器件和功率变换电路的性能得到提高。本文在实验基础上详细论述了该领域的发展和研究状况,探讨了低温电力电子学的潜在应用。
- 张玉林胡高宏丘明
- 关键词：电力电子器件功率变换电路电力电子学载流子迁移率低温环境半导体材料
- 一种新型单级PFC研究被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新型单级功率因数校正AC/DC变换器,给出了电路的拓扑结构,分析研究了这种变换器的各种工作模式。实验结果表明,这种变换器具有电路拓扑简单,功率密度高,功率因数高,成本低等优点。
- 胡高宏张玉林丘明
- 关键词：单级功率因数校正
- 非对称型IGBT的低温特性研究
- 研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,...
- 张玉林胡高宏丘明杨广辉姚志豪
- 关键词：IGBT缓冲区半导体材料
- 文献传递
- 绝缘栅双极晶体管（IGBT）低温特性研究
- 绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有工作频率高、处理功率大和驱动电路简单等优点，因而在中大功率领域有着广泛的应用。随着超导技术的发展和人类太空探索活动的频繁，IGBT在低温下的特性日益引起人们的关注。本文对IGBT在77K～...
- 张玉林
- 关键词：绝缘栅双极晶体管载流子输运IGBTNPTPT
- 文献传递
- IGBT的低温特性及计算机仿真
- 2006年
- 研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致。
- 张玉林胡高宏丘明齐智平
- 关键词：晶体管非穿通型
