高志远
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度(英文)被引量：6
- 2008年
- 实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度。大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素。使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系。腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法。
- 高志远郝跃张进城张金凤倪金玉
- 关键词：位错密度GAN
- GaN多层量子点光电材料的制作方法
- 本发明公开了一种GaN多层量子点光电材料的制作方法，其过程是：首先用MOCVD设备在衬底上依次生长低温缓冲层和高温Ga极性面的n－AlGaN基底层(2)；接着对n－AlGaN基底层(2)用熔融KOH工艺进行腐蚀，在该n－...
- 郝跃高志远张进城李培咸
- 文献传递
- 高温层的横向生长对异质外延GaN结构性质的影响被引量：2
- 2009年
- 通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究表明,高温GaN层的横向生长速度越快,位错的传播方向更易于偏离c轴,弯向晶粒内部,且弯曲的位置越靠近缓冲层,但位错密度并不随横向生长的加速而单调变化.提出了一个关于GaN生长动力学过程和位错弯曲机制的模型以解释横向生长与GaN结构的对应关系.
- 高志远郝跃李培咸张进城
- 关键词：GAN位错
- 用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑(英文)被引量：1
- 2007年
- 用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.
- 高志远郝跃张进城张金凤陈海峰倪金玉
- 关键词：位错GAN
- AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析被引量：2
- 2007年
- 对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.
- 倪金玉张进成郝跃杨燕陈海峰高志远
- 关键词：ALGAN/GAN异质结
- 异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响
- 2009年
- 通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌。GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法。
- 高志远郝跃张金凤
- 关键词：GAN表面形貌
- GaN基发光二极管表面粗化的处理方法
- 本发明公开了一种GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，它涉及半导体光电子器件制造技术领域，其目的在于，采用该方法可以在不影响器件的其它光电特性的情况下，提高器件的光取出率。该方法的实现过程为：(1)在600℃～750℃的...
- 李培咸高志远郝跃周小伟
- 文献传递
- GaN单晶缺陷种类和密度的检测方法
- 本发明公开了一种GaN单晶缺陷种类和密度的检测方法，它涉及半导体材料质量检测技术领域，其目的是为了将传统的湿法腐蚀检测技术进行改良以适合GaN材料的特点，提供一种评估异质外延生长的GaN单晶薄膜表面层线缺陷情况的方法。本...
- 高志远郝跃张进城李培咸
- 文献传递
- 异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响被引量：1
- 2008年
- 用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.
- 高志远郝跃李培咸张进城
- 关键词：GAN发光效率
- 极性宽禁带半导体微结构与新效应研究
- 近几年来，纵观材料学界乃至物理学界，GaN和ZnO材料的研究都是热门课题，吸引了很多研究者的目光。在进行具有巨大经济效益的大量研究同时，对一些基础问题的深入研究仍不可忽视，材料的微结构就是其中的重要问题之一。同属于宽禁带...
- 高志远
- 关键词：纳米线
- 文献传递
