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高伟

作品数：26 被引量：2H指数：1
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术艺术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇艺术

主题

  • 22篇光电
  • 12篇晶体管
  • 11篇电晶体
  • 11篇异质结
  • 11篇光电晶体管
  • 9篇电极
  • 6篇纳米
  • 5篇纳米片
  • 5篇光电二极管
  • 5篇二极管
  • 5篇碲
  • 4篇电器件
  • 4篇探测器
  • 4篇光电器件
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇范德瓦尔斯
  • 3篇栅压
  • 3篇光响应
  • 3篇SIC

机构

  • 26篇华南师范大学

作者

  • 26篇高伟
  • 6篇张帅
  • 5篇张峰
  • 4篇黄颖

传媒

  • 1篇黄河之声

年份

  • 10篇2023
  • 11篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2012
  • 1篇2002
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO<Sub>2</Sub>/SnS<Sub>2</Sub>纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方...
李京波岳倩高伟张峰张帅郑涛
文献传递
一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用
本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将...
韩理想张之洋高伟霍能杰李京波
一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si放入丙酮溶液浸泡去除P...
张帅高伟霍能杰李京波
一种基于二维拓扑绝缘体的三明治光电晶体管及其制备方法和应用
本发明属于多功能光电晶体管技术领域，公开了一种基于二维拓扑绝缘体的三明治光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管是先将拓扑绝缘体纳米片转移至SnSe<Sub>2</Sub>纳米片上，再将2H‑MoTe<Sub>2</S...
高伟马婧怡王吉娜李京波
一种大面积层状二维材料的剥离及其转移方法
本发明涉及一种大面积层状二维材料的剥离及其转移方法，该方法通过设置超薄纳米层的粘附层金属和Au层机械剥离获得层状的二维材料纳米片，之后通过可溶性胶、PDMS和可溶解性聚合物的配合使用成功实现了具有单层、少层和多层区域的大...
黄颖高伟霍能杰李京波
文献传递
一种非对称肖特基光电二极管及其制备方法和应用
本发明涉及一种非对称肖特基光电二极管及其制备方法和应用，包括，SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底，设置于衬底上的第一电极和第二电极；PtSe<Sub>2</Sub>半金属纳米片设置于衬底上，与第一电极接触，双极性W...
高伟黄坚明李京波
一种具有光电流极性可调的二硫化钨/二碲化钨异质结的光电晶体管及其制备方法和应用
本发明属于二维材料光电晶体管技术领域，公开了一种具有光电流极性可调的二硫化钨/二碲化钨异质结的光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管是在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上机械剥离得的N型掺杂WS<Sub>2<...
马婧怡高伟王吉娜李京波
PtTe<Sub>2</Sub>/MoTe<Sub>2</Sub>光电晶体管、制备方法和应用
本发明涉及一种PtTe<Sub>2</Sub>/MoTe<Sub>2</Sub>光电晶体管、制备方法和应用。其制备方法包括：获取半导体相MoTe<Sub>2</Sub>纳米片；获取拓扑半金属PtTe<Sub>2</Sub...
陈晟迪高伟黄颖李京波
一种基于γ-InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用
本发明属于宽谱偏振光探测领域，公开了一种基于γ‑InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，所述混维异质结的光电二极管的结构为漏电极/InSe/Ge垂直异质结/源电极；该光电二极管是先在Ge衬底上沉积SiO<...
杨宝翔高伟霍能杰李京波
一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n<Sup>+</Sup>SiC(360μm)/n<Sup>‑</Sup>SiC(11μm)/对...
李京波张帅高伟张峰岳倩郑涛
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