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张帅

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 6篇光电
  • 4篇电极
  • 4篇电晶体
  • 4篇晶体管
  • 4篇光电晶体管
  • 2篇电器件
  • 2篇异质结
  • 2篇栅电极
  • 2篇碳化硅
  • 2篇探测率
  • 2篇探测器
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇紫外
  • 2篇紫外-可见
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇光电器件

机构

  • 7篇华南师范大学

作者

  • 7篇张帅
  • 6篇高伟
  • 4篇张峰

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si放入丙酮溶液浸泡去除P...
张帅高伟霍能杰李京波
广东早期现代化中的涉外刑事案件研究
由于地理、时代、社会等因素,广东较早的接触了西方社会,在许多史料中,广东地区的案件也占了很大一部分。因此本文着重研究了广东早期现代化中的涉外刑事案件,即1689年到鸦片战争前夕的刑事案件。立足于广东,从早期现代化中发生的...
张帅
一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n<Sup>+</Sup>SiC(360μm)/n<Sup>‑</Sup>SiC(11μm)/对...
李京波张帅高伟张峰岳倩郑涛
文献传递
一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO<Sub>2</Sub>/SnS<Sub>2</Sub>纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方...
李京波岳倩高伟张峰张帅郑涛
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一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n<Sup>+</Sup>SiC(360μm)/n<Sup>‑</Sup>SiC(11μm)/对...
李京波张帅高伟张峰岳倩郑涛
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一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用
本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO<Sub>2</Sub>/SnS<Sub>2</Sub>纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方...
李京波岳倩高伟张峰张帅郑涛
一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si放入丙酮溶液浸泡去除P...
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