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韩翔

作品数:3 被引量:14H指数:2
供职机构:北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀铜
  • 1篇镀镍
  • 1篇镀镍工艺
  • 1篇镀铜
  • 1篇英文
  • 1篇制动
  • 1篇制动效率
  • 1篇射频
  • 1篇品质因数
  • 1篇品质因子
  • 1篇开关时间
  • 1篇光开关
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇MEMS
  • 1篇MEMS光开...

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 3篇韩翔
  • 2篇吴文刚
  • 2篇李轶
  • 2篇郝一龙
  • 1篇黄风义
  • 1篇林川力
  • 1篇张少勇
  • 1篇李志宏
  • 1篇杨梅
  • 1篇闫桂珍

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感(英文)
2006年
报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的硅螺线,在硅螺线表面镀有高保形厚铜镀层,在铜镀层表面镀有起钝化保护作用的薄镍镀层.该电感的自谐振频率超过15GHz,在11.3GHz下,品质因子达到约40,电感值超过5nH.基于该电感的简化等效电路模型,采用一种特征函数法进行了参数提取,模拟结果与测量结果符合得很好.
吴文刚李轶黄风义韩翔张少勇李志宏郝一龙
关键词:品质因子射频
用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺被引量:11
2005年
开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.
韩翔李轶吴文刚闫桂珍郝一龙
关键词:单晶硅品质因数
一种高制动效率大角度硅扭转微镜MEMS光开关的设计被引量:3
2006年
提出了一种利用静电力制动扭转梁带动微镜旋转,从而实现二维开关功能的MEMS光开关.使用ANSYS和COVENTOR软件对器件结构进行了模态、静态和瞬态分析,并对微镜制动梳齿的位置、器件的尺寸和扭转梁结构进行了优化.通过在微镜下方设计大空腔实现微镜90°的大角度扭转,使用新型衬底梳齿和结合扭转梁设计实现高静电制动效率,将制动电压降至18V.引入背面梳齿提高开关响应速度,模拟结果表明,光开关具有毫秒量级响应时间.与其他设计相比,该设计的微镜具有扭转角度大、制动效率高且开关速度较快的优点.
杨梅韩翔林川力陈兢
关键词:MEMS光开关开关时间
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