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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀铜
  • 2篇镀铜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电阻
  • 1篇镀镍
  • 1篇镀镍工艺
  • 1篇英文
  • 1篇元件
  • 1篇射频
  • 1篇品质因数
  • 1篇品质因子
  • 1篇无源
  • 1篇无源元件
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇刻蚀
  • 1篇寄生电阻

机构

  • 4篇北京大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 4篇李轶
  • 3篇吴文刚
  • 3篇郝一龙
  • 2篇韩翔
  • 1篇李志宏
  • 1篇黄风义
  • 1篇王阳元
  • 1篇张少勇
  • 1篇李志宏
  • 1篇韩翔
  • 1篇闫桂珍

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感(英文)
2006年
报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的硅螺线,在硅螺线表面镀有高保形厚铜镀层,在铜镀层表面镀有起钝化保护作用的薄镍镀层.该电感的自谐振频率超过15GHz,在11.3GHz下,品质因子达到约40,电感值超过5nH.基于该电感的简化等效电路模型,采用一种特征函数法进行了参数提取,模拟结果与测量结果符合得很好.
吴文刚李轶黄风义韩翔张少勇李志宏郝一龙
关键词:品质因子射频
用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺被引量:11
2005年
开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.
韩翔李轶吴文刚闫桂珍郝一龙
关键词:单晶硅品质因数
射频电感的制备方法
本发明提供了一种射频电感的制备方法,属于电感加工技术领域。该方法包括:首先以绝缘体作为衬底,在衬底上制作金属电极,在硅片上刻出锚点,然后通过该锚点将硅片和衬底键合,硅片和绝缘体键合后,采用感应耦合等离子体刻蚀、释放电感螺...
李轶郝一龙吴文刚韩翔李志宏王阳元
文献传递
无电镀铜镍及其在RF MEMS无源元件中的应用
该文针对提高RF MEMS无源元器件的品质因数这一问题,在北大微电子学研究院实验条件的基础上实现了化学镀铜和化学镀镍工艺,并把它应用在RF MEMS无源器件的结构上.通过反复实验,摸索出了镀出优质薄铜层的条件,并进一步探...
李轶
关键词:Q值
共1页<1>
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